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| # | 검수 | Japanese | Korean | 검수 결과 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 이상없음 | 【발명의 설명】 | 【발명의 설명】 |
표제 번역 이상 없음
표제 번역 이상 없음
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| 2 | 이상없음 | 【発明の名称】 | 【발명의 명칭】 |
KIPO 표준 표제 '발명의 명칭'으로 적절
KIPO 표준 표제 '발명의 명칭'으로 적절
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| 3 | 이상없음 | イオン注入装置およびイオン注入方法 | 이온주입장치 및 이온주입방법 |
발명의 명칭 번역 정확
발명의 명칭 번역 정확
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| 4 | 이상없음 | 【技術分野】 | 【기술분야】 |
표제 번역 이상 없음
표제 번역 이상 없음
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| 5 | 이상없음 | 【０００１】 | [0001] |
단락번호 [0001] 표기는 한국 특허 관행에 부합
단락번호 [0001] 표기는 한국 특허 관행에 부합
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| 6 | 이상없음 | 本開示は、イオン注入装置およびイオン注入方法に関する。 | 본 개시는, 이온주입장치 및 이온주입방법에 관한 것이다. |
의미·용어 정확
의미·용어 정확
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| 7 | 이상없음 | 【背景技術】 | 【발명의 배경이 되는 기술】 |
KIPO 표준 표제 '발명의 배경이 되는 기술'로 적절
KIPO 표준 표제 '발명의 배경이 되는 기술'로 적절
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| 8 | 이상없음 | 【０００２】 | [0002] |
단락번호 표기 이상 없음
단락번호 표기 이상 없음
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| 9 | 검토권장 | 半導体デバイス製造工程では、半導体の導電性を変化させる目的、半導体の結晶構造を変化させる目的などのため、半導体ウェハなどの被処理物にイオンを注入する工程（イオン注入工程ともいう）が標準的に実施されている。 | 반도체디바이스제조공정에서는, 반도체의 도전성을 변화시킬 목적, 반도체의 결정구조를 변화시킬 목적 등을 위하여, 반도체웨이퍼 등의 피처리물에 이온을 주입하는 공정(이온주입공정이라고도 한다)이 표준적으로 실시되고 있다. |
[용어의 기술적 오류] '도전성'보다 표준 용어 '전…
[용어의 기술적 오류] '도전성'보다 표준 용어 '전도성' 권장(관행상 도전성도 통용, 선택 사항)
수정안: '반도체의 도전성을' → '반도체의 전도성을'
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| 10 | 검토권장 | イオン注入工程では、イオンビームの照射によって被処理物にダメージが導入されうる。 | 이온주입공정에서는, 이온빔의 조사에 의하여 피처리물에 대미지가 도입될 수 있다. |
[용어의 불일치(비표준 음역)] '대미지'는 비표준 …
[용어의 불일치(비표준 음역)] '대미지'는 비표준 표기, '손상' 권장(#11·#20 일괄 적용)
수정안: '대미지가 도입될 수 있다' → '손상이 도입될 수 있다'
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| 11 | 검토권장 | 被処理物に導入されるダメージを制御するため、注入前、注入中および注入後の少なくとも一つにおいて被処理物が加熱される（例えば、特許文献１参照）。 | 피처리물에 도입되는 대미지를 제어하기 위하여, 주입 전, 주입 중 및 주입 후 중 적어도 하나에 있어서 피처리물이 가열된다(예를 들면, 특허문헌 1 참조). |
[용어의 불일치(비표준 음역)] '대미지' → '손상' …
[용어의 불일치(비표준 음역)] '대미지' → '손상' 일괄 수정 대상
수정안: '도입되는 대미지를' → '도입되는 손상을'
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| 12 | 이상없음 | 【先行技術文献】 | 【선행기술문헌】 |
표제 번역 이상 없음
표제 번역 이상 없음
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| 13 | 이상없음 | 【特許文献】 | 【특허문헌】 |
표제 번역 이상 없음
표제 번역 이상 없음
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| 14 | 이상없음 | 【０００３】 | [0003] |
단락번호 표기 이상 없음
단락번호 표기 이상 없음
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| 15 | 검토권장 | 【特許文献１】 特開２０２２－１２８７５２号公報 | 특허문헌 1: 일본 공개특허공보 특개2022-128752호 |
[문헌 표기 형식] '특개' 음역과 '공개특허공보' …
[문헌 표기 형식] '특개' 음역과 '공개특허공보' 의역이 중복 표기됨
수정안: '일본 공개특허공보(特開) 제2022-128752호' 또는 '특개 2022-128752호 공보'
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| 16 | 이상없음 | 【発明の概要】 | 【발명의 내용】 |
KIPO 표준 표제 '발명의 내용'으로 적절
KIPO 표준 표제 '발명의 내용'으로 적절
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| 17 | 이상없음 | 【発明が解決しようとする課題】 | 【해결하고자 하는 과제】 |
KIPO 표준 표제 '해결하고자 하는 과제'로 적절
KIPO 표준 표제 '해결하고자 하는 과제'로 적절
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| 18 | 이상없음 | 【０００４】 | [0004] |
단락번호 표기 이상 없음
단락번호 표기 이상 없음
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| 19 | 검토권장 | 上述の先行技術では、被処理物を保持する保持装置によって被処理物の全体の温度が調整される。 | 상술한 선행기술에서는, 피처리물을 유지하는 유지장치에 의하여 피처리물의 전체의 온도가 조정된다. |
[언어적 오류(문체)] '피처리물의 전체의 온도' 이…
[언어적 오류(문체)] '피처리물의 전체의 온도' 이중 조사 '의' 어색
수정안: '피처리물의 전체의 온도가' → '피처리물 전체의 온도가'
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| 20 | 검토권장 | イオンビームの照射によるダメージが大きい注入条件などでは、ダメージを適切に制御できない可能性がある。 | 이온빔의 조사에 의한 대미지가 큰 주입조건 등에서는, 대미지를 적절히 제어할 수 없을 가능성이 있다. |
[용어의 불일치(비표준 음역)] '대미지' → '손상' …
[용어의 불일치(비표준 음역)] '대미지' → '손상' 일괄 수정 대상
수정안: '대미지가 큰…대미지를' → '손상이 큰…손상을'
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| 21 | 이상없음 | 【０００５】 | [0005] |
단락번호 표기 이상 없음
단락번호 표기 이상 없음
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| 22 | 필수수정 | 本開示のある態様の例示的な目的のひとつは、イオン注入工程における被処理物へのダメージをより適切に制御するための技術を提供することにある。 | 본 개시의 일 양태의 예시적인 목적 중 하나는, 이온주입공정에 있어서의 피처리물에 대한 대미지를 보다 적절히 제어하기 위한 기술을 제공하는 것에 있다. |
[용어 오류(비표준 표기)] '대미지'는 비표준 표기…
[용어 오류(비표준 표기)] '대미지'는 비표준 표기로 수정 필요
수정안: '대미지'→'데미지'(또는 '손상'), #35와 표기 통일
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| 23 | 이상없음 | 【課題を解決するための手段】 | 【과제의 해결 수단】 |
헤딩 번역이 특허 관행에 부합
헤딩 번역이 특허 관행에 부합
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| 24 | 이상없음 | 【０００６】 | [0006] |
단락번호 표기 이상 없음
단락번호 표기 이상 없음
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| 25 | 이상없음 | 本開示のある態様のイオン注入装置は、被処理物を保持し、被処理物を所定方向に往復移動させるように構成される保持装置と、保持装置に保持される被処理物に照射されるイオンビームを生成するビーム生成装置と、保持装置に保持される被処理物に電磁放射を照射するように構成される照射装置と、を備える。 | 본 개시의 일 양태의 이온주입장치는, 피처리물을 유지하고, 피처리물을 소정방향으로 왕복이동시키도록 구성되는 유지장치와, 유지장치에 유지되는 피처리물에 조사되는 이온빔을 생성하는 빔생성장치와, 유지장치에 유지되는 피처리물에 전자기방사를 조사하도록 구성되는 조사장치를 구비한다. |
구성요소 나열 및 용어 일관성 이상 없음
구성요소 나열 및 용어 일관성 이상 없음
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| 26 | 이상없음 | 照射装置は、イオンビームが照射される注入位置とは所定方向に異なる照射位置に電磁放射を照射する。 | 조사장치는, 이온빔이 조사되는 주입위치와는 소정방향으로 상이한 조사위치에 전자기방사를 조사한다. |
주입위치/조사위치 대비 표현 정확
주입위치/조사위치 대비 표현 정확
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| 27 | 이상없음 | 【０００７】 | [0007] |
단락번호 표기 이상 없음
단락번호 표기 이상 없음
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| 28 | 이상없음 | 本開示の別の態様は、イオン注入方法である。 | 본 개시의 다른 양태는, 이온주입방법이다. |
번역 정확
번역 정확
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| 29 | 검토권장 | この方法は、被処理物を所定方向に沿って往復移動させることと、被処理物にイオンビームを照射することと、被処理物に電磁放射を照射することと、を備える。 | 이 방법은, 피처리물을 소정방향을 따라 왕복이동시키는 것과, 피처리물에 이온빔을 조사하는 것과, 피처리물에 전자기방사를 조사하는 것을 구비한다. |
[언어적 오류(문체)] 방법 주어에 '구비한다'는 부…
[언어적 오류(문체)] 방법 주어에 '구비한다'는 부자연스러움
수정안: '구비한다'→'포함한다' 권장
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| 30 | 이상없음 | 電磁放射は、イオンビームが照射される注入位置から所定方向に異なる照射位置に照射される。 | 전자기방사는, 이온빔이 조사되는 주입위치로부터 소정방향으로 상이한 조사위치에 조사된다. |
#26과 병렬 대응 정확
#26과 병렬 대응 정확
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| 31 | 이상없음 | 【０００８】 | [0008] |
단락번호 표기 이상 없음
단락번호 표기 이상 없음
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| 32 | 검토권장 | なお、以上の構成要素の任意の組み合わせや本開示の構成要素や表現を、方法、装置、システムなどの間で相互に置換したものもまた、本開示の態様として有効である。 | 다만, 이상의 구성요소의 임의의 조합이나 본 개시의 구성요소나 표현을, 방법, 장치, 시스템 등의 사이에서 상호 치환한 것도 또한, 본 개시의 양태로서 유효하다. |
[언어적 오류(뉘앙스)] 'なお'를 '다만'으로 옮기…
[언어적 오류(뉘앙스)] 'なお'를 '다만'으로 옮기면 단서(예외)로 오독 가능
수정안: '다만,'→'또한,' 권장
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| 33 | 이상없음 | 【発明の効果】 | 【발명의 효과】 |
헤딩 번역 이상 없음
헤딩 번역 이상 없음
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| 34 | 이상없음 | 【０００９】 | [0009] |
단락번호 표기 이상 없음
단락번호 표기 이상 없음
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| 35 | 필수수정 | 本開示のある態様によれば、イオン注入工程における被処理物へのダメージをより適切に制御するための技術を提供できる。 | 본 개시의 일 양태에 의하면, 이온주입공정에 있어서의 피처리물에 대한 대미지를 보다 적절히 제어하기 위한 기술을 제공할 수 있다. |
[용어 오류(비표준 표기)] '대미지' 비표준 표기(#…
[용어 오류(비표준 표기)] '대미지' 비표준 표기(#22와 동일 문제)
수정안: '대미지'→'데미지'(또는 '손상'), #22와 표기 통일
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| 36 | 이상없음 | 【図面の簡単な説明】 | 【도면의 간단한 설명】 |
헤딩 번역 이상 없음
헤딩 번역 이상 없음
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| 37 | 이상없음 | 【００１０】 | [0010] |
단락번호 표기 이상 없음
단락번호 표기 이상 없음
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| 38 | 이상없음 | 【図１】 実施の形態に係るイオン注入装置の概略構成を示す上面図である。 | 도 1은 실시형태에 관한 이온주입장치의 개략구성을 나타내는 상면도이다. |
도면 설명의 문장 변환 적절
도면 설명의 문장 변환 적절
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| 39 | 이상없음 | 【図２】 実施の形態に係るイオン注入装置の概略構成を示す側面図である。 | 도 2는 실시형태에 관한 이온주입장치의 개략구성을 나타내는 측면도이다. |
도면 설명의 문장 변환 적절
도면 설명의 문장 변환 적절
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| 40 | 이상없음 | 【図３】 実施の形態に係る照射装置の概略構成を示す図である。 | 도 3은 실시형태에 관한 조사장치의 개략구성을 나타내는 도이다. |
도면 설명의 문장 변환 적절
도면 설명의 문장 변환 적절
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| 41 | 이상없음 | 【図４】 イオンビームおよび電磁放射が照射される範囲を概略的に示す平面図である。 | 도 4는 이온빔 및 전자기방사가 조사되는 범위를 개략적으로 나타내는 평면도이다. |
원문 의미와 용어가 충실하게 반영됨
원문 의미와 용어가 충실하게 반영됨
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| 42 | 필수수정 | 【図５】 図５（ａ）～（ｃ）は、移動する被処理物と注入位置および照射位置との位置関係を概略的に示す平面図である。 | 도 5의 (a)~도 5의 (c)는, 이동하는 피처리물과 주입위치 및 조사위치의 위치관계를 개략적으로 나타내는 평면도이다. |
위치관계 수식에서 접속 조사 '와의' 누락 (검토·…
위치관계 수식에서 접속 조사 '와의' 누락 (검토·수정 권장)
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| 43 | 필수수정 | 【図６】 図６（ａ）～（ｃ）は、移動する被処理物と注入位置および照射位置との位置関係を概略的に示す平面図である。 | 도 6의 (a)~도 6의 (c)는, 이동하는 피처리물과 주입위치 및 조사위치의 위치관계를 개략적으로 나타내는 평면도이다. |
위치관계 수식에서 접속 조사 '와의' 누락 (검토·…
위치관계 수식에서 접속 조사 '와의' 누락 (검토·수정 권장)
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| 44 | 이상없음 | 【図７】 実施の形態に係る照射装置の動作例を概略的に示す図である。 | 도 7은 실시형태에 관한 조사장치의 동작예를 개략적으로 나타내는 도이다. |
원문 의미 충실, 용어 문제 없음
원문 의미 충실, 용어 문제 없음
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| 45 | 이상없음 | 【図８】 実施の形態に係る照射装置の動作例を概略的に示す図である。 | 도 8은 실시형태에 관한 조사장치의 동작예를 개략적으로 나타내는 도이다. |
#44와 동일 문장으로 일관성 유지됨
#44와 동일 문장으로 일관성 유지됨
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| 46 | 이상없음 | 【図９】 図９（ａ），（ｂ）は、照射装置による照射位置の切替を概略的に示す図である。 | 도 9의 (a), 도 9의 (b)는, 조사장치에 의한 조사위치의 전환을 개략적으로 나타내는 도이다. |
'切替→전환' 대응 적절, 문제 없음
'切替→전환' 대응 적절, 문제 없음
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| 47 | 이상없음 | 【図１０】 図１０（ａ），（ｂ）は、照射装置による照射位置の切替を概略的に示す図である。 | 도 10의 (a), 도 10의 (b)는, 조사장치에 의한 조사위치의 전환을 개략적으로 나타내는 도이다. |
#46과 동일 문장으로 일관성 유지됨
#46과 동일 문장으로 일관성 유지됨
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| 48 | 이상없음 | 【図１１】 実施の形態に係るイオン注入方法の一例を示すフローチャートである。 | 도 11은 실시형태에 관한 이온주입방법의 일례를 나타내는 플로차트이다. |
원문 의미 충실, '플로차트' 관용 표기로 문제 없음
원문 의미 충실, '플로차트' 관용 표기로 문제 없음
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| 49 | 이상없음 | 【図１２】 別の実施の形態に係る照射装置の概略構成を示す図である。 | 도 12는 다른 실시형태에 관한 조사장치의 개략구성을 나타내는 도이다. |
원문 의미 충실, 용어 문제 없음
원문 의미 충실, 용어 문제 없음
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| 50 | 이상없음 | 【図１３】 別の実施の形態に係る照射装置の構成例を概略的に示す図である。 | 도 13은 다른 실시형태에 관한 조사장치의 구성예를 개략적으로 나타내는 도이다. |
원문 의미 충실, #49와 표기 일관됨
원문 의미 충실, #49와 표기 일관됨
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| 51 | 검토권장 | 【発明を実施するための形態】 | 【발명을 실시하기 위한 구체적인 내용】 |
[의미 추가(원문 충실성)] 원문에 없는 '구체적인 …
[의미 추가(원문 충실성)] 원문에 없는 '구체적인 내용' 추가 — 한국 관행 표제어이나 원문 충실성·#53과의 정합성 검토 필요
수정안: 원문 충실 우선 시 【발명을 실시하기 위한 형태】, 한국 관행 유지 시 현행 유지
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| 52 | 이상없음 | 【００１１】 | [0011] |
문단번호 표기 정상
문단번호 표기 정상
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| 53 | 이상없음 | 以下、図面を参照しながら、本開示に係るイオン注入装置およびイオン注入方法を実施するための形態について詳細に説明する。 | 이하, 도면을 참조하면서, 본 개시에 관한 이온주입장치 및 이온주입방법을 실시하기 위한 형태에 대하여 상세하게 설명한다. |
원문 구조와 용어가 정확히 반영됨
원문 구조와 용어가 정확히 반영됨
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| 54 | 이상없음 | なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を適宜省略する。 | 다만, 도면의 설명에 있어서 동일한 요소에는 동일한 부호를 붙이고, 중복되는 설명을 적절히 생략한다. |
원문 의미 충실, 관용적 대응 적절
원문 의미 충실, 관용적 대응 적절
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| 55 | 이상없음 | また、以下に述べる構成は例示であり、本開示の範囲を何ら限定するものではない。 | 또, 이하에 설명하는 구성은 예시이며, 본 개시의 범위를 결코 한정하는 것은 아니다. |
원문 의미 충실, 문제 없음
원문 의미 충실, 문제 없음
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| 56 | 이상없음 | 【００１２】 | [0012] |
문단번호 표기 정상
문단번호 표기 정상
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| 57 | 이상없음 | 図１は、実施の形態に係るイオン注入装置１０の概略構成を示す上面図である。 | 도 1은, 실시형태에 관한 이온주입장치(10)의 개략구성을 나타내는 상면도이다. |
용어·참조부호 표기 정확
용어·참조부호 표기 정확
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| 58 | 이상없음 | 図２は、実施の形態に係るイオン注入装置１０の概略構成を示す側面図である。 | 도 2는, 실시형태에 관한 이온주입장치(10)의 개략구성을 나타내는 측면도이다. |
#57과 일관된 표기 유지
#57과 일관된 표기 유지
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| 59 | 이상없음 | イオン注入装置１０は、被処理物Ｗの表面にイオン注入処理を施すよう構成される。 | 이온주입장치(10)는, 피처리물(W)의 표면에 이온주입처리를 실시하도록 구성된다. |
원문 의미 충실, 용어 일관성 유지
원문 의미 충실, 용어 일관성 유지
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| 60 | 이상없음 | 被処理物Ｗは、例えば基板であり、例えば半導体ウェハであるが、これは注入処理の対象を特定の物体に限定することを意図しない。 | 피처리물(W)은, 예를 들면 기판이고, 예를 들면 반도체웨이퍼이지만, 이는 주입처리의 대상을 특정의 물체에 한정하는 것을 의도하지 않는다. |
원문 의미 충실, 문제 없음
원문 의미 충실, 문제 없음
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| 61 | 이상없음 | 【００１３】 | [0013] |
단락번호 [0013] 대응 정상
단락번호 [0013] 대응 정상
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| 62 | 이상없음 | イオン注入装置１０は、イオンビームを一方向に往復走査させ、被処理物Ｗを走査方向と直交する所定方向に往復移動させることにより被処理物Ｗの処理面全体にわたってスポット状のイオンビームを照射するよう構成される。 | 이온주입장치(10)는, 이온빔을 일방향으로 왕복주사시키고, 피처리물(W)을 주사방향과 직교하는 소정방향으로 왕복이동시킴으로써 피처리물(W)의 처리면 전체에 걸쳐 스폿상의 이온빔을 조사하도록 구성된다. |
원문 충실, 용어·참조부호 대응 정상
원문 충실, 용어·참조부호 대응 정상
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| 63 | 검토권장 | 本書では説明の便宜上、設計上のビームラインＡに沿って進むイオンビームの進行方向をｚ方向とし、ｚ方向に垂直な面をｘｙ面と定義する。 | 본서에서는 설명의 편의상, 설계상의 빔라인(A)을 따라 진행하는 이온빔의 진행방향을 z방향으로 하고, z방향에 수직인 면을 xy면으로 정의한다. |
[용어 표현(스타일)] '본서'는 특허명세서 관용 표…
[용어 표현(스타일)] '본서'는 특허명세서 관용 표현이 아님
수정안: '본서'를 '본 명세서'로 수정 권장
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| 64 | 이상없음 | イオンビームを被処理物Ｗに対して走査する場合において、ビームの走査方向をｘ方向とし、ｚ方向及びｘ方向に垂直な方向をｙ方向とする。 | 이온빔을 피처리물(W)에 대하여 주사하는 경우에 있어서, 빔의 주사방향을 x방향으로 하고, z방향 및 x방향에 수직인 방향을 y방향으로 한다. |
좌표계 정의 대응 정상
좌표계 정의 대응 정상
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| 65 | 이상없음 | したがって、ビームの往復走査はｘ方向に行われ、被処理物Ｗの往復移動はｙ方向に行われる。 | 따라서, 빔의 왕복주사는 x방향으로 행해지고, 피처리물(W)의 왕복이동은 y방향으로 행해진다. |
주사·이동 방향 설명 대응 정상
주사·이동 방향 설명 대응 정상
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| 66 | 이상없음 | 【００１４】 | [0014] |
단락번호 [0014] 대응 정상
단락번호 [0014] 대응 정상
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| 67 | 이상없음 | イオン注入装置１０は、イオン生成装置１２と、ビームライン装置１４と、真空処理室１６と、基板搬送装置１８とを備える。 | 이온주입장치(10)는, 이온생성장치(12)와, 빔라인장치(14)와, 진공처리실(16)과, 기판반송장치(18)를 구비한다. |
구성요소 나열·참조부호 대응 정상
구성요소 나열·참조부호 대응 정상
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| 68 | 이상없음 | イオン生成装置１２は、イオンビームを生成し、生成したイオンビームをビームライン装置１４に与えるよう構成される。 | 이온생성장치(12)는, 이온빔을 생성하고, 생성한 이온빔을 빔라인장치(14)에 제공하도록 구성된다. |
'제공' 표현 대응 정상
'제공' 표현 대응 정상
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| 69 | 이상없음 | ビームライン装置１４は、イオン生成装置１２から真空処理室１６へイオンビームを輸送するよう構成される。 | 빔라인장치(14)는, 이온생성장치(12)로부터 진공처리실(16)로 이온빔을 수송하도록 구성된다. |
'수송' 대응 정상
'수송' 대응 정상
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| 70 | 이상없음 | 真空処理室１６には、注入処理の対象となる被処理物Ｗが収容され、ビームライン装置１４から与えられるイオンビームを被処理物Ｗに照射する注入処理がなされる。 | 진공처리실(16)에는, 주입처리의 대상이 되는 피처리물(W)이 수용되고, 빔라인장치(14)로부터 제공되는 이온빔을 피처리물(W)에 조사하는 주입처리가 이루어진다. |
'수용·조사·주입처리' 대응 정상
'수용·조사·주입처리' 대응 정상
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| 71 | 이상없음 | 基板搬送装置１８は、注入処理前の未処理基板を真空処理室１６に搬入し、注入処理後の処理済基板を真空処理室１６から搬出するよう構成される。 | 기판반송장치(18)는, 주입처리 전의 미처리기판을 진공처리실(16)로 반입하고, 주입처리 후의 처리완료기판을 진공처리실(16)로부터 반출하도록 구성된다. |
반입/반출 대응 정상
반입/반출 대응 정상
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| 72 | 이상없음 | イオン注入装置１０は、イオン生成装置１２、ビームライン装置１４、真空処理室１６および基板搬送装置１８に所望の真空環境を提供するための真空排気系（図示せず）を備える。 | 이온주입장치(10)는, 이온생성장치(12), 빔라인장치(14), 진공처리실(16) 및 기판반송장치(18)에 원하는 진공환경을 제공하기 위한 진공배기계(도시하지 않음)를 구비한다. |
진공배기계·'도시하지 않음' 대응 정상
진공배기계·'도시하지 않음' 대응 정상
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| 73 | 이상없음 | 【００１５】 | [0015] |
단락번호 [0015] 대응 정상
단락번호 [0015] 대응 정상
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| 74 | 필수수정 | ビームライン装置１４は、ビームラインＡの上流側から順に、質量分析部２０、ビームパーク装置２４、ビーム整形部３０、ビーム走査部３２、ビーム平行化部３４および角度エネルギーフィルタ（ＡＥＦ；Angular Energy Filter）３６を備える。 | 빔라인장치(14)는, 빔라인(A)의 상류측으로부터 순서대로, 질량분석부(20), 빔파크장치(24), 빔정형(整形)부(30), 빔주사부(32), 빔평행화부(34) 및 각도에너지필터(AEF; Angular Energy Filter)(36)를 구비한다. |
용어 병기·괄호 표기 형식에 개선 여지(오역은 아…
용어 병기·괄호 표기 형식에 개선 여지(오역은 아님).
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| 75 | 이상없음 | なお、ビームラインＡの上流とは、イオン生成装置１２に近い側のことをいい、ビームラインＡの下流とは真空処理室１６（またはビームストッパ４６）に近い側のことをいう。 | 다만, 빔라인(A)의 상류란, 이온생성장치(12)에 가까운 측을 말하고, 빔라인(A)의 하류란 진공처리실(16)(또는 빔스토퍼(46))에 가까운 측을 말한다. |
상류/하류 정의 대응 정상
상류/하류 정의 대응 정상
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| 76 | 이상없음 | 【００１６】 | [0016] |
단락번호 [0016] 대응 정상
단락번호 [0016] 대응 정상
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| 77 | 이상없음 | 質量分析部２０は、イオン生成装置１２の下流に設けられ、イオン生成装置１２から引き出されたイオンビームから必要なイオン種を質量分析により選択するよう構成される。 | 질량분석부(20)는, 이온생성장치(12)의 하류에 마련되고, 이온생성장치(12)로부터 인출된 이온빔으로부터 필요한 이온종을 질량분석에 의하여 선택하도록 구성된다. |
'인출' 등 분야 용어 대응 정상
'인출' 등 분야 용어 대응 정상
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| 78 | 이상없음 | 質量分析部２０は、質量分析磁石２１と、質量分析レンズ２２と、質量分析スリット２３とを有する。 | 질량분석부(20)는, 질량분석자석(21)과, 질량분석렌즈(22)와, 질량분석슬릿(23)을 갖는다. |
질량분석 구성요소 대응 정상
질량분석 구성요소 대응 정상
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| 79 | 이상없음 | 【００１７】 | [0017] |
단락번호 [0017] 대응 정상
단락번호 [0017] 대응 정상
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| 80 | 이상없음 | 質量分析磁石２１は、イオン生成装置１２から引き出されたイオンビームに磁場を印加し、イオンの質量電荷比Ｍ＝ｍ／ｑ（ｍは質量、ｑは電荷）の値に応じて異なる経路でイオンビームを偏向させる。 | 질량분석자석(21)은, 이온생성장치(12)로부터 인출된 이온빔에 자기장을 인가하고, 이온의 질량전하비 M=m/q(m은 질량, q는 전하)의 값에 따라 상이한 경로로 이온빔을 편향시킨다. |
질량전하비·편향 기술 내용 대응 정상
질량전하비·편향 기술 내용 대응 정상
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| 81 | 이상없음 | 質量分析磁石２１は、例えばイオンビームにｙ方向（図１および図２では－ｙ方向）の磁場を印加してイオンビームをｘ方向に偏向させる。 | 질량분석자석(21)은, 예를 들면 이온빔에 y방향(도 1 및 도 2에서는 -y방향)의 자기장을 인가하여 이온빔을 x방향으로 편향시킨다. |
원문·번역 대응 양호
원문·번역 대응 양호
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| 82 | 검토권장 | 質量分析磁石２１の磁場強度は、所望の質量電荷比Ｍを有するイオン種が質量分析スリット２３を通過するように調整される。 | 질량분석자석(21)의 자기장강도는, 원하는 질량전하비 M을 갖는 이온종이 질량분석슬릿(23)을 통과하도록 조정된다. |
[용어 표기(관례 역어)] '所望の'를 '원하는'으로 …
[용어 표기(관례 역어)] '所望の'를 '원하는'으로 옮김 — 관례 역어는 '소망하는'
수정안: '원하는'→'소망하는'(문서 내 '所望の' 역어 통일 시)
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| 83 | 이상없음 | 【００１８】 | [0018] |
문단번호 표기 정상
문단번호 표기 정상
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| 84 | 이상없음 | 質量分析レンズ２２は、質量分析磁石２１の下流に設けられ、イオンビームに対する収束／発散力を調整するよう構成される。 | 질량분석렌즈(22)는, 질량분석자석(21)의 하류에 마련되고, 이온빔에 대한 수렴/발산력을 조정하도록 구성된다. |
용어·문장 대응 양호
용어·문장 대응 양호
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| 85 | 이상없음 | 質量分析レンズ２２は、質量分析スリット２３を通過するイオンビームのビーム進行方向（ｚ方向）の収束位置を調整し、質量分析部２０の質量分解能Ｍ／ｄＭを調整する。 | 질량분석렌즈(22)는, 질량분석슬릿(23)을 통과하는 이온빔의 빔진행방향(z방향)의 수렴위치를 조정하고, 질량분석부(20)의 질량분해능 M/dM을 조정한다. |
방향·분해능식(M/dM) 대응 양호
방향·분해능식(M/dM) 대응 양호
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| 86 | 이상없음 | なお、質量分析レンズ２２は必須の構成ではなく、質量分析部２０に質量分析レンズ２２が設けられなくてもよい。 | 다만, 질량분석렌즈(22)는 필수적인 구성은 아니며, 질량분석부(20)에 질량분석렌즈(22)가 마련되지 않아도 된다. |
의미 정확
의미 정확
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| 87 | 이상없음 | 【００１９】 | [0019] |
문단번호 표기 정상
문단번호 표기 정상
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| 88 | 이상없음 | 質量分析スリット２３は、質量分析レンズ２２の下流に設けられ、質量分析レンズ２２から離れた位置に設けられる。 | 질량분석슬릿(23)은, 질량분석렌즈(22)의 하류에 마련되고, 질량분석렌즈(22)로부터 이격된 위치에 마련된다. |
용어·문장 대응 양호
용어·문장 대응 양호
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| 89 | 이상없음 | 質量分析スリット２３は、質量分析磁石２１によるビーム偏向方向（ｘ方向）がスリット幅となるように構成され、ｘ方向が相対的に短く、ｙ方向が相対的に長い形状の開口２３ａを有する。 | 질량분석슬릿(23)은, 질량분석자석(21)에 의한 빔편향방향(x방향)이 슬릿폭이 되도록 구성되며, x방향이 상대적으로 짧고, y방향이 상대적으로 긴 형상의 개구(23a)를 갖는다. |
방향·개구 형상 대응 양호
방향·개구 형상 대응 양호
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| 90 | 이상없음 | 【００２０】 | [0020] |
문단번호 표기 정상
문단번호 표기 정상
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| 91 | 검토권장 | 質量分析スリット２３は、質量分解能の調整のためにスリット幅が可変となるように構成されてもよい。 | 질량분석슬릿(23)은, 질량분해능의 조정을 위하여 슬릿폭이 가변(可變)이 되도록 구성되어도 된다. |
[원문 잔존 표기·용어 불일치] '가변(可變)' 한자 …
[원문 잔존 표기·용어 불일치] '가변(可變)' 한자 병기 잔존, #93의 '가변'과 불일치
수정안: '가변(可變)'→'가변'
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| 92 | 이상없음 | 質量分析スリット２３は、スリット幅方向に移動可能な二枚のビーム遮蔽体により構成され、二枚のビーム遮蔽体の間隔を変化させることによりスリット幅が調整可能となるように構成されてもよい。 | 질량분석슬릿(23)은, 슬릿폭방향으로 이동 가능한 2매의 빔차폐체에 의하여 구성되고, 2매의 빔차폐체의 간격을 변화시킴으로써 슬릿폭이 조정 가능해지도록 구성되어도 된다. |
복수 표현('2매') 대응 양호
복수 표현('2매') 대응 양호
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| 93 | 이상없음 | 質量分析スリット２３は、スリット幅の異なる複数のスリットのいずれか一つに切り替えることによりスリット幅が可変となるよう構成されてもよい。 | 질량분석슬릿(23)은, 슬릿폭이 상이한 복수의 슬릿 중 어느 하나로 전환함으로써 슬릿폭이 가변이 되도록 구성되어도 된다. |
'가변' 표기 정상
'가변' 표기 정상
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| 94 | 이상없음 | 【００２１】 | [0021] |
문단번호 표기 정상
문단번호 표기 정상
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| 95 | 이상없음 | ビームパーク装置２４は、ビームラインＡからイオンビームを一時的に退避し、下流の真空処理室１６（または被処理物Ｗ）に向かうイオンビームを遮蔽するよう構成される。 | 빔파크장치(24)는, 빔라인(A)으로부터 이온빔을 일시적으로 퇴피시키고, 하류의 진공처리실(16)(또는 피처리물(W))을 향하는 이온빔을 차폐하도록 구성된다. |
동작·차폐 의미 대응 양호
동작·차폐 의미 대응 양호
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| 96 | 이상없음 | ビームパーク装置２４は、ビームラインＡの途中の任意の位置に配置することができるが、例えば、質量分析レンズ２２と質量分析スリット２３の間に配置できる。 | 빔파크장치(24)는, 빔라인(A)의 도중의 임의의 위치에 배치할 수 있지만, 예를 들면, 질량분석렌즈(22)와 질량분석슬릿(23)의 사이에 배치할 수 있다. |
의미 정확
의미 정확
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| 97 | 이상없음 | 質量分析レンズ２２と質量分析スリット２３の間には一定の距離が必要であるため、その間にビームパーク装置２４を配置することで、他の位置に配置する場合よりもビームラインＡの長さを短くすることができ、イオン注入装置１０の全体を小型化できる。 | 질량분석렌즈(22)와 질량분석슬릿(23)의 사이에는 일정한 거리가 필요하기 때문에, 그 사이에 빔파크장치(24)를 배치함으로써, 다른 위치에 배치하는 경우보다 빔라인(A)의 길이를 짧게 할 수 있어, 이온주입장치(10) 전체를 소형화할 수 있다. |
인과 구조 대응 양호
인과 구조 대응 양호
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| 98 | 이상없음 | 【００２２】 | [0022] |
문단번호 표기 정상
문단번호 표기 정상
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| 99 | 검토권장 | ビームパーク装置２４は、一対のパーク電極２５（２５ａ，２５ｂ）と、ビームダンプ２６と、を備える。 | 빔파크장치(24)는, 한 쌍의 파크전극(25(25a, 25b))과, 빔덤프(26)를 구비한다. |
[참조부호 표기 형식] 중첩 괄호 '파크전극(25(25a…
[참조부호 표기 형식] 중첩 괄호 '파크전극(25(25a, 25b))' 가독성 저하
수정안: '파크전극 25(25a, 25b)' 형식 권장
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| 100 | 이상없음 | 一対のパーク電極２５ａ，２５ｂは、ビームラインＡを挟んで対向し、質量分析磁石２１のビーム偏向方向（ｘ方向）と直交する方向（ｙ方向）に対向する。 | 한 쌍의 파크전극(25a, 25b)은, 빔라인(A)을 사이에 두고 대향하고, 질량분석자석(21)의 빔편향방향(x방향)과 직교하는 방향(y방향)으로 대향한다. |
방향 관계 대응 양호
방향 관계 대응 양호
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| 101 | 대기 | ビームダンプ２６は、パーク電極２５ａ，２５ｂよりもビームラインＡの下流側に設けられ、ビームラインＡからパーク電極２５ａ，２５ｂの対向方向に離れて設けられる。 | 빔덤프(26)는, 파크전극(25a, 25b)보다 빔라인(A)의 하류측에 마련되고, 빔라인(A)으로부터 파크전극(25a, 25b)의 대향방향으로 이격되어 마련된다. | - |
| 102 | 대기 | 【００２３】 | [0023] | - |
| 103 | 대기 | 第１パーク電極２５ａはビームラインＡよりも重力方向上側に配置され、第２パーク電極２５ｂはビームラインＡよりも重力方向下側に配置される。 | 제1 파크전극(25a)은 빔라인(A)보다 중력방향 상측에 배치되고, 제2 파크전극(25b)은 빔라인(A)보다 중력방향 하측에 배치된다. | - |
| 104 | 대기 | ビームダンプ２６は、ビームラインＡよりも重力方向下側に離れた位置に設けられ、質量分析スリット２３の開口２３ａの重力方向下側に配置される。 | 빔덤프(26)는, 빔라인(A)보다 중력방향 하측으로 이격된 위치에 마련되고, 질량분석슬릿(23)의 개구(23a)의 중력방향 하측에 배치된다. | - |
| 105 | 대기 | ビームダンプ２６は、例えば、質量分析スリット２３の開口２３ａが形成されていない部分で構成される。 | 빔덤프(26)는, 예를 들면, 질량분석슬릿(23)의 개구(23a)가 형성되어 있지 않은 부분으로 구성된다. | - |
| 106 | 대기 | ビームダンプ２６は、質量分析スリット２３とは別体として構成されてもよい。 | 빔덤프(26)는, 질량분석슬릿(23)과는 별체로서 구성되어도 된다. | - |
| 107 | 대기 | 【００２４】 | [0024] | - |
| 108 | 대기 | ビームパーク装置２４は、一対のパーク電極２５ａ，２５ｂの間に印加される電場を利用してイオンビームを偏向させ、ビームラインＡからイオンビームを退避させる。 | 빔파크장치(24)는, 한 쌍의 파크전극(25a, 25b)의 사이에 인가되는 전기장을 이용하여 이온빔을 편향시키고, 빔라인(A)으로부터 이온빔을 퇴피시킨다. | - |
| 109 | 대기 | 例えば、第１パーク電極２５ａの電位を基準として第２パーク電極２５ｂに負電圧を印加することにより、イオンビームをビームラインＡから重力方向下方に偏向させてビームダンプ２６に入射させる。 | 예를 들면, 제1 파크전극(25a)의 전위를 기준으로 하여 제2 파크전극(25b)에 음전압을 인가함으로써, 이온빔을 빔라인(A)으로부터 중력방향 하방으로 편향시켜 빔덤프(26)에 입사시킨다. | - |
| 110 | 대기 | 図２において、ビームダンプ２６に向かうイオンビームの軌跡を破線で示している。 | 도 2에 있어서, 빔덤프(26)를 향하는 이온빔의 궤적을 파선으로 나타내고 있다. | - |
| 111 | 대기 | また、ビームパーク装置２４は、一対のパーク電極２５ａ，２５ｂを同電位とすることにより、イオンビームをビームラインＡに沿って下流側に通過させる。 | 또, 빔파크장치(24)는, 한 쌍의 파크전극(25a, 25b)을 동일 전위로 함으로써, 이온빔을 빔라인(A)을 따라 하류측으로 통과시킨다. | - |
| 112 | 대기 | ビームパーク装置２４は、イオンビームを下流側に通過させる第１モードと、イオンビームをビームダンプ２６に入射させる第２モードとを切り替えて動作可能となるよう構成される。 | 빔파크장치(24)는, 이온빔을 하류측으로 통과시키는 제1 모드와, 이온빔을 빔덤프(26)에 입사시키는 제2 모드를 전환하여 동작 가능해지도록 구성된다. | - |
| 113 | 대기 | 【００２５】 | [0025] | - |
| 114 | 대기 | 質量分析スリット２３の下流にはインジェクタファラデーカップ２８が設けられる。 | 질량분석슬릿(23)의 하류에는 인젝터패러데이컵(28)이 마련된다. | - |
| 115 | 대기 | インジェクタファラデーカップ２８は、インジェクタ駆動部２９の動作によりビームラインＡに出し入れ可能となるよう構成される。 | 인젝터패러데이컵(28)은, 인젝터구동부(29)의 동작에 의하여 빔라인(A)에 출입 가능해지도록 구성된다. | - |
| 116 | 대기 | インジェクタ駆動部２９は、インジェクタファラデーカップ２８をビームラインＡの延びる方向と直交する方向（例えばｙ方向）に移動させる。 | 인젝터구동부(29)는, 인젝터패러데이컵(28)을 빔라인(A)이 뻗는 방향과 직교하는 방향(예를 들면 y방향)으로 이동시킨다. | - |
| 117 | 대기 | インジェクタファラデーカップ２８は、図２の破線で示すようにビームラインＡ上に配置された場合、下流側に向かうイオンビームを遮断する。 | 인젝터패러데이컵(28)은, 도 2의 파선으로 나타내는 바와 같이 빔라인(A) 상에 배치된 경우, 하류측을 향하는 이온빔을 차단한다. | - |
| 118 | 대기 | 一方、図２の実線で示すように、インジェクタファラデーカップ２８がビームラインＡ上から外された場合、下流側に向かうイオンビームの遮断が解除される。 | 한편, 도 2의 실선으로 나타내는 바와 같이, 인젝터패러데이컵(28)이 빔라인(A) 상으로부터 벗어난 경우, 하류측을 향하는 이온빔의 차단이 해제된다. | - |
| 119 | 대기 | 【００２６】 | [0026] | - |
| 120 | 대기 | インジェクタファラデーカップ２８は、質量分析部２０により質量分析されたイオンビームのビーム電流を計測するよう構成される。 | 인젝터패러데이컵(28)은, 질량분석부(20)에 의하여 질량분석된 이온빔의 빔전류를 계측하도록 구성된다. | - |
| 121 | 대기 | インジェクタファラデーカップ２８は、質量分析磁石２１の磁場強度を変化させながらビーム電流を測定することにより、イオンビームの質量分析スペクトラムを計測できる。 | 인젝터패러데이컵(28)은, 질량분석자석(21)의 자기장강도를 변화시키면서 빔전류를 측정함으로써, 이온빔의 질량분석스펙트럼을 계측할 수 있다. | - |
| 122 | 대기 | 計測した質量分析スペクトラムを用いて、質量分析部２０の質量分解能を算出することができる。 | 계측한 질량분석스펙트럼을 이용하여, 질량분석부(20)의 질량분해능을 산출할 수 있다. | - |
| 123 | 대기 | 【００２７】 | [0027] | - |
| 124 | 대기 | ビーム整形部３０は、収束／発散四重極レンズ（Ｑレンズ）などの収束／発散装置を備えており、質量分析部２０を通過したイオンビームを所望の断面形状に整形するよう構成されている。 | 빔정형부(30)는, 수렴/발산 사중극렌즈(Q렌즈) 등의 수렴/발산장치를 구비하고 있으며, 질량분석부(20)를 통과한 이온빔을 원하는 단면형상으로 정형하도록 구성되어 있다. | - |
| 125 | 대기 | ビーム整形部３０は、例えば、電場式の三段四重極レンズ（トリプレットＱレンズともいう）で構成され、三つの四重極レンズ３０ａ，３０ｂ，３０ｃを有する。 | 빔정형부(30)는, 예를 들면, 전기장식의 삼단사중극렌즈(트리플릿 Q렌즈라고도 한다)로 구성되고, 세 개의 사중극렌즈(30a, 30b, 30c)를 갖는다. | - |
| 126 | 대기 | ビーム整形部３０は、三つのレンズ装置３０ａ～３０ｃを用いることにより、イオンビームの収束または発散をｘ方向およびｙ方向のそれぞれについて独立に調整しうる。 | 빔정형부(30)는, 세 개의 렌즈장치(30a~30c)를 이용함으로써, 이온빔의 수렴 또는 발산을 x방향 및 y방향의 각각에 대하여 독립적으로 조정할 수 있다. | - |
| 127 | 대기 | ビーム整形部３０は、磁場式のレンズ装置を含んでもよく、電場と磁場の双方を利用してビームを整形するレンズ装置を含んでもよい。 | 빔정형부(30)는, 자기장식의 렌즈장치를 포함해도 되고, 전기장과 자기장의 쌍방을 이용하여 빔을 정형하는 렌즈장치를 포함해도 된다. | - |
| 128 | 대기 | 【００２８】 | [0028] | - |
| 129 | 대기 | ビーム走査部３２は、ビームの往復走査を提供するよう構成され、整形されたイオンビームをｘ方向に走査するビーム偏向装置である。 | 빔주사부(32)는, 빔의 왕복주사를 제공하도록 구성되고, 정형된 이온빔을 x방향으로 주사하는 빔편향장치이다. | - |
| 130 | 대기 | ビーム走査部３２は、ビーム走査方向（ｘ方向）に対向する走査電極対を有する。 | 빔주사부(32)는, 빔주사방향(x방향)으로 대향하는 주사전극쌍을 갖는다. | - |
| 131 | 대기 | 走査電極対は可変電圧電源（図示せず）に接続されており、走査電極対の間に印加される電圧を周期的に変化させることにより、電極間に生じる電界を変化させてイオンビームをさまざまな角度に偏向させる。 | 주사전극쌍은 가변전압전원(도시하지 않음)에 접속되어 있고, 주사전극쌍의 사이에 인가되는 전압을 주기적으로 변화시킴으로써, 전극 사이에 발생하는 전계를 변화시켜 이온빔을 다양한 각도로 편향시킨다. | - |
| 132 | 대기 | その結果、イオンビームがｘ方向の走査範囲全体にわたって走査される。 | 그 결과, 이온빔이 x방향의 주사범위 전체에 걸쳐 주사된다. | - |
| 133 | 대기 | 図１において、矢印Ｘによりビームの走査方向及び走査範囲を例示し、走査範囲でのイオンビームの複数の軌跡を一点鎖線で示している。 | 도 1에 있어서, 화살표 X에 의하여 빔의 주사방향 및 주사범위를 예시하고, 주사범위에서의 이온빔의 복수의 궤적을 일점쇄선으로 나타내고 있다. | - |
| 134 | 대기 | なお、ビーム走査部３２は他のビーム走査装置で置き換えられてもよく、ビーム走査装置は磁界を利用する磁石装置として構成されてもよい。 | 다만, 빔주사부(32)는 다른 빔주사장치로 치환되어도 되고, 빔주사장치는 자계를 이용하는 자석장치로서 구성되어도 된다. | - |
| 135 | 대기 | 【００２９】 | [0029] | - |
| 136 | 대기 | なお、ビーム走査部３２の代わりに、リボンビーム生成部が設けられてもよい。 | 다만, 빔주사부(32) 대신에, 리본빔생성부가 마련되어도 된다. | - |
| 137 | 대기 | リボンビーム生成部は、所定方向（ｙ方向）に直交する方向（ｘ方向）にリボン状に拡がったリボンビームを生成してもよい。 | 리본빔생성부는, 소정방향(y방향)에 직교하는 방향(x방향)으로 리본상으로 퍼진 리본빔을 생성해도 된다. | - |
| 138 | 대기 | リボンビーム生成部は、例えば、磁場式または電場式のビーム発散装置によって構成され、イオンビームＢをｘ方向に発散させることにより、ｘ方向に拡がるリボン状ビーム束を生成してもよい。 | 리본빔생성부는, 예를 들면, 자기장식 또는 전기장식의 빔발산장치에 의하여 구성되고, 이온빔(B)을 x방향으로 발산시킴으로써, x방향으로 퍼지는 리본상 빔 다발을 생성해도 된다. | - |
| 139 | 대기 | 【００３０】 | [0030] | - |
| 140 | 대기 | ビーム平行化部３４は、走査されたイオンビームの進行方向を設計上のビームラインＡの軌道と平行にするよう構成される。 | 빔평행화부(34)는, 주사된 이온빔의 진행방향을 설계상의 빔라인(A)의 궤도와 평행하게 하도록 구성된다. | - |
| 141 | 대기 | ビーム平行化部３４は、ｙ方向の中央部にイオンビームの通過スリットが設けられた円弧形状の複数の平行化レンズ電極を有する。 | 빔평행화부(34)는, y방향의 중앙부에 이온빔의 통과슬릿이 마련된 원호형상의 복수의 평행화렌즈전극을 갖는다. | - |
| 142 | 대기 | 平行化レンズ電極は、高圧電源（図示せず）に接続されており、電圧印加により生じる電界をイオンビームに作用させて、イオンビームの進行方向を平行に揃える。 | 평행화렌즈전극은, 고압전원(도시하지 않음)에 접속되어 있고, 전압인가에 의하여 발생하는 전계를 이온빔에 작용시켜, 이온빔의 진행방향을 평행하게 맞춘다. | - |
| 143 | 대기 | なお、ビーム平行化部３４は他のビーム平行化装置で置き換えられてもよく、ビーム平行化装置は磁界を利用する磁石装置として構成されてもよい。 | 다만, 빔평행화부(34)는 다른 빔평행화장치로 치환되어도 되고, 빔평행화장치는 자계를 이용하는 자석장치로서 구성되어도 된다. | - |
| 144 | 대기 | 【００３１】 | [0031] | - |
| 145 | 대기 | ビーム平行化部３４の下流には、イオンビームを加速または減速させるためのＡＤ（Accel／Decel）コラム（図示せず）が設けられてもよい。 | 빔평행화부(34)의 하류에는, 이온빔을 가속 또는 감속시키기 위한 AD(Accel/Decel)칼럼(도시하지 않음)이 마련되어도 된다. | - |
| 146 | 대기 | 【００３２】 | [0032] | - |
| 147 | 대기 | 角度エネルギーフィルタ（ＡＥＦ）３６は、イオンビームのエネルギーを分析し必要なエネルギーのイオンを下方に偏向して真空処理室１６に導くよう構成されている。 | 각도에너지필터(AEF)(36)는, 이온빔의 에너지를 분석하고 필요한 에너지의 이온을 하방으로 편향시켜 진공처리실(16)로 유도하도록 구성되어 있다. | - |
| 148 | 대기 | 角度エネルギーフィルタ３６は、電界偏向用のＡＥＦ電極対を有する。 | 각도에너지필터(36)는, 전계편향용 AEF전극쌍을 갖는다. | - |
| 149 | 대기 | ＡＥＦ電極対は、高圧電源（図示せず）に接続される。 | AEF전극쌍은, 고압전원(도시하지 않음)에 접속된다. | - |
| 150 | 대기 | 図２において、上側のＡＥＦ電極に正電圧、下側のＡＥＦ電極に負電圧を印加させることにより、イオンビームを下方に偏向させる。 | 도 2에 있어서, 상측의 AEF전극에 양전압, 하측의 AEF전극에 음전압을 인가시킴으로써, 이온빔을 하방으로 편향시킨다. | - |
| 151 | 대기 | なお、角度エネルギーフィルタ３６は、磁界偏向用の磁石装置で構成されてもよく、電界偏向用のＡＥＦ電極対と磁石装置の組み合わせで構成されてもよい。 | 다만, 각도에너지필터(36)는, 자계편향용 자석장치로 구성되어도 되고, 전계편향용 AEF전극쌍과 자석장치의 조합으로 구성되어도 된다. | - |
| 152 | 대기 | 【００３３】 | [0033] | - |
| 153 | 대기 | このようにして、ビームライン装置１４は、被処理物Ｗに照射されるべきイオンビームを真空処理室１６に供給する。 | 이와 같이 하여, 빔라인장치(14)는, 피처리물(W)에 조사되어야 할 이온빔을 진공처리실(16)에 공급한다. | - |
| 154 | 대기 | 本実施の形態において、イオン生成装置１２およびビームライン装置１４を「ビーム生成装置」ともいう。 | 본 실시형태에 있어서, 이온생성장치(12) 및 빔라인장치(14)를 '빔생성장치'라고도 한다. | - |
| 155 | 대기 | ビーム生成装置は、ビーム生成装置を構成する各種機器の動作パラメータを調整することで、所望の処理条件を実現するためのイオンビームを生成するよう構成される。 | 빔생성장치는, 빔생성장치를 구성하는 각종 기기의 동작파라미터를 조정함으로써, 원하는 처리조건을 실현하기 위한 이온빔을 생성하도록 구성된다. | - |
| 156 | 대기 | 【００３４】 | [0034] | - |
| 157 | 대기 | 真空処理室１６は、ビームラインＡの上流側から順に、エネルギースリット３８、プラズマシャワー装置４０、サイドカップ４２（４２Ｌ，４２Ｒ）、プロファイラカップ４４およびビームストッパ４６を備える。 | 진공처리실(16)은, 빔라인(A)의 상류측으로부터 순서대로, 에너지슬릿(38), 플라즈마샤워장치(40), 사이드컵(42(42L, 42R)), 프로파일러컵(44) 및 빔스토퍼(46)를 구비한다. | - |
| 158 | 대기 | 真空処理室１６は、１枚又は複数枚の被処理物Ｗを保持する保持装置５０を備える。 | 진공처리실(16)은, 1매 또는 복수 매의 피처리물(W)을 유지하는 유지장치(50)를 구비한다. | - |
| 159 | 대기 | 【００３５】 | [0035] | - |
| 160 | 대기 | エネルギースリット３８は、角度エネルギーフィルタ３６の下流側に設けられ、角度エネルギーフィルタ３６とともに被処理物Ｗに入射するイオンビームのエネルギー分析をする。 | 에너지슬릿(38)은, 각도에너지필터(36)의 하류측에 마련되고, 각도에너지필터(36)와 함께 피처리물(W)에 입사되는 이온빔의 에너지 분석을 한다. | - |
| 161 | 대기 | エネルギースリット３８は、ビーム走査方向（ｘ方向）に横長のスリットで構成されるエネルギー制限スリット（ＥＤＳ；Energy Defining Slit）である。 | 에너지슬릿(38)은, 빔주사방향(x방향)으로 가로로 긴 슬릿으로 구성되는 에너지제한슬릿(EDS; Energy Defining Slit)이다. | - |
| 162 | 대기 | エネルギースリット３８は、所望のエネルギー値またはエネルギー範囲のイオンビームを被処理物Ｗに向けて通過させ、それ以外のイオンビームを遮蔽する。 | 에너지슬릿(38)은, 원하는 에너지값 또는 에너지 범위의 이온빔을 피처리물(W)을 향하여 통과시키고, 그 이외의 이온빔을 차폐한다. | - |
| 163 | 대기 | 【００３６】 | [0036] | - |
| 164 | 대기 | プラズマシャワー装置４０は、エネルギースリット３８の下流側に位置する。 | 플라즈마샤워장치(40)는, 에너지슬릿(38)의 하류측에 위치한다. | - |
| 165 | 대기 | プラズマシャワー装置４０は、イオンビームのビーム電流量に応じてイオンビームおよび被処理物Ｗの表面（基板処理面）に低エネルギー電子を供給し、イオン注入で生じる基板処理面における正電荷のチャージアップを抑制する。 | 플라즈마샤워장치(40)는, 이온빔의 빔전류량에 따라 이온빔 및 피처리물(W)의 표면(기판처리면)에 저에너지전자를 공급하여, 이온주입으로 발생하는 기판처리면에 있어서의 양전하의 차지업을 억제한다. | - |
| 166 | 대기 | プラズマシャワー装置４０は、例えば、イオンビームが通過するシャワーチューブと、シャワーチューブ内に電子を供給するプラズマ発生装置とを含む。 | 플라즈마샤워장치(40)는, 예를 들면, 이온빔이 통과하는 샤워튜브와, 샤워튜브 내에 전자를 공급하는 플라즈마발생장치를 포함한다. | - |
| 167 | 대기 | 【００３７】 | [0037] | - |
| 168 | 대기 | サイドカップ４２（４２Ｌ，４２Ｒ）は、被処理物Ｗへのイオン注入処理中にイオンビームのビーム電流を測定するよう構成される。 | 사이드컵(42(42L, 42R))은, 피처리물(W)에 대한 이온주입처리 중에 이온빔의 빔전류를 측정하도록 구성된다. | - |
| 169 | 대기 | サイドカップ４２Ｌ，４２Ｒは、ビームラインＡ上に配置される被処理物Ｗに対して左右（ｘ方向）にずれて配置されており、イオン注入時に被処理物Ｗに向かうイオンビームを遮らない位置に配置される。 | 사이드컵(42L, 42R)은, 빔라인(A) 상에 배치되는 피처리물(W)에 대하여 좌우(x방향)로 어긋나게 배치되어 있고, 이온주입 시에 피처리물(W)을 향하는 이온빔을 차단하지 않는 위치에 배치된다. | - |
| 170 | 대기 | イオンビームは、被処理物Ｗが位置する範囲を超えてｘ方向に走査されるため、イオン注入時においても走査されるビームの一部がサイドカップ４２Ｌ，４２Ｒに入射する。 | 이온빔은, 피처리물(W)이 위치하는 범위를 넘어 x방향으로 주사되기 때문에, 이온주입 시에 있어서도 주사되는 빔의 일부가 사이드컵(42L, 42R)에 입사된다. | - |
| 171 | 대기 | これにより、イオン注入処理中のビーム電流量がサイドカップ４２Ｌ，４２Ｒにより計測される。 | 이로써, 이온주입처리 중의 빔전류량이 사이드컵(42L, 42R)에 의하여 계측된다. | - |
| 172 | 대기 | 【００３８】 | [0038] | - |
| 173 | 대기 | プロファイラカップ４４は、基板処理面におけるビーム電流を測定するよう構成されるファラデーカップである。 | 프로파일러컵(44)은, 기판처리면에 있어서의 빔전류를 측정하도록 구성되는 패러데이컵이다. | - |
| 174 | 대기 | プロファイラカップ４４は、プロファイラ駆動装置４５の動作により可動となるよう構成され、イオン注入時に被処理物Ｗが位置する注入位置から退避され、被処理物Ｗが注入位置にないときに注入位置に挿入される。 | 프로파일러컵(44)은, 프로파일러구동장치(45)의 동작에 의하여 가동되도록 구성되고, 이온주입 시에 피처리물(W)이 위치하는 주입위치로부터 퇴피되며, 피처리물(W)이 주입위치에 없을 때에 주입위치에 삽입된다. | - |
| 175 | 대기 | プロファイラカップ４４は、ｘ方向に移動しながらビーム電流を測定することにより、ｘ方向のビーム走査範囲の全体にわたってビーム電流を測定することができる。 | 프로파일러컵(44)은, x방향으로 이동하면서 빔전류를 측정함으로써, x방향의 빔주사범위 전체에 걸쳐 빔전류를 측정할 수 있다. | - |
| 176 | 대기 | プロファイラカップ４４は、ビーム走査方向（ｘ方向）の複数の位置におけるビーム電流を同時に計測可能となるように、複数のファラデーカップがｘ方向に並んでアレイ状に形成されてもよい。 | 프로파일러컵(44)은, 빔주사방향(x방향)의 복수의 위치에 있어서의 빔전류를 동시에 계측 가능해지도록, 복수의 패러데이컵이 x방향으로 나란히 어레이상으로 형성되어도 된다. | - |
| 177 | 대기 | 【００３９】 | [0039] | - |
| 178 | 대기 | サイドカップ４２およびプロファイラカップ４４の少なくとも一方は、ビーム電流量を測定するための単一のファラデーカップを備えてもよいし、ビームの角度情報を測定するための角度計測器を備えてもよい。 | 사이드컵(42) 및 프로파일러컵(44) 중 적어도 일방은, 빔전류량을 측정하기 위한 단일의 패러데이컵을 구비해도 되고, 빔의 각도정보를 측정하기 위한 각도계측기를 구비해도 된다. | - |
| 179 | 대기 | 角度計測器は、例えば、スリットと、スリットからビーム進行方向（ｚ方向）に離れて設けられる複数の電流検出部とを備える。 | 각도계측기는, 예를 들면, 슬릿과, 슬릿으로부터 빔진행방향(z방향)으로 이격되어 마련되는 복수의 전류검출부를 구비한다. | - |
| 180 | 대기 | 角度計測器は、例えば、スリットを通過したビームをスリット幅方向に並べられる複数の電流検出部で計測することにより、スリット幅方向のビームの角度成分を測定できる。 | 각도계측기는, 예를 들면, 슬릿을 통과한 빔을 슬릿폭방향으로 나열되는 복수의 전류검출부로 계측함으로써, 슬릿폭방향의 빔의 각도성분을 측정할 수 있다. | - |
| 181 | 대기 | サイドカップ４２およびプロファイラカップ４４の少なくとも一方は、ｘ方向の角度情報を測定可能な第１角度測定器と、ｙ方向の角度情報を測定可能な第２角度測定器とを備えてもよい。 | 사이드컵(42) 및 프로파일러컵(44) 중 적어도 일방은, x방향의 각도정보를 측정 가능한 제1 각도측정기와, y방향의 각도정보를 측정 가능한 제2 각도측정기를 구비해도 된다. | - |
| 182 | 대기 | 【００４０】 | [0040] | - |
| 183 | 대기 | 保持装置５０は、チャック機構５２と、ツイスト機構５３と、往復移動機構５４と、チルト機構５５とを含む。 | 유지장치(50)는, 척기구(52)와, 트위스트기구(53)와, 왕복이동기구(54)와, 틸트기구(55)를 포함한다. | - |
| 184 | 대기 | 【００４１】 | [0041] | - |
| 185 | 대기 | チャック機構５２は、被処理物Ｗと接触して被処理物Ｗを固定するように構成される。 | 척기구(52)는, 피처리물(W)과 접촉하여 피처리물(W)을 고정하도록 구성된다. | - |
| 186 | 대기 | チャック機構５２は、例えばメカニカルチャックや静電チャックである。 | 척기구(52)는, 예를 들면 메커니컬척이나 정전척이다. | - |
| 187 | 대기 | ツイスト機構５３は、被処理物Ｗの回転角を調整する機構であり、チャック機構５２を回転させるよう構成させる。 | 트위스트기구(53)는, 피처리물(W)의 회전각을 조정하는 기구이며, 척기구(52)를 회전시키도록 구성된다. | - |
| 188 | 대기 | ツイスト機構５３は、基板処理面の法線を軸としてチャック機構５２を回転させることにより、被処理物Ｗの外周部に設けられるアライメントマークと基準位置との間のツイスト角を調整する。 | 트위스트기구(53)는, 기판처리면의 법선을 축으로 하여 척기구(52)를 회전시킴으로써, 피처리물(W)의 외주부에 마련되는 얼라인먼트마크와 기준위치의 사이의 트위스트각을 조정한다. | - |
| 189 | 대기 | ここで、被処理物Ｗのアライメントマークとは、被処理物Ｗの外周部に設けられるノッチやオリフラのことをいい、被処理物Ｗの結晶軸方向や被処理物Ｗの周方向の角度位置の基準となるマークをいう。 | 여기에서, 피처리물(W)의 얼라인먼트마크란, 피처리물(W)의 외주부에 마련되는 노치나 오리엔테이션 플랫을 말하고, 피처리물(W)의 결정축방향이나 피처리물(W)의 둘레방향의 각도위치의 기준이 되는 마크를 말한다. | - |
| 190 | 대기 | ツイスト機構５３は、チャック機構５２と往復移動機構５４の間に設けられる。 | 트위스트기구(53)는, 척기구(52)와 왕복이동기구(54)의 사이에 마련된다. | - |
| 191 | 대기 | 【００４２】 | [0042] | - |
| 192 | 대기 | 往復移動機構５４は、ツイスト機構５３を所定方向に往復移動させることにより、チャック機構５２に固定される被処理物Ｗを所定方向に往復移動させる。 | 왕복이동기구(54)는, 트위스트기구(53)를 소정방향으로 왕복이동시킴으로써, 척기구(52)에 고정되는 피처리물(W)을 소정방향으로 왕복이동시킨다. | - |
| 193 | 대기 | ここで、所定方向は、ビーム走査方向（ｘ方向）と直交する往復移動方向（ｙ方向）である。 | 여기에서, 소정방향은, 빔주사방향(x방향)과 직교하는 왕복이동방향(y방향)이다. | - |
| 194 | 대기 | 図２において、矢印Ｙにより被処理物Ｗの往復移動を例示する。 | 도 2에 있어서, 화살표(Y)에 의하여 피처리물(W)의 왕복이동을 예시한다. | - |
| 195 | 대기 | 【００４３】 | [0043] | - |
| 196 | 대기 | チルト機構５５は、被処理物Ｗの傾きを調整する機構であり、基板処理面に向かうイオンビームの進行方向と基板処理面の法線との間のチルト角を調整する。 | 틸트기구(55)는, 피처리물(W)의 기울기를 조정하는 기구이며, 기판처리면을 향하는 이온빔의 진행방향과 기판처리면의 법선 사이의 틸트각을 조정한다. | - |
| 197 | 대기 | 本実施の形態では、被処理物Ｗの傾斜角のうち、ｘ方向の軸を回転の中心軸とする角度をチルト角として調整する。 | 본 실시형태에서는, 피처리물(W)의 경사각 중, x방향의 축을 회전의 중심축으로 하는 각도를 틸트각으로서 조정한다. | - |
| 198 | 대기 | チルト機構５５は、往復移動機構５４と真空処理室１６の内壁の間に設けられており、往復移動機構５４をＲ方向に回転させることでチャック機構５２に固定される被処理物Ｗのチルト角を調整するように構成される。 | 틸트기구(55)는, 왕복이동기구(54)와 진공처리실(16)의 내벽의 사이에 마련되어 있고, 왕복이동기구(54)를 R방향으로 회전시킴으로써 척기구(52)에 고정되는 피처리물(W)의 틸트각을 조정하도록 구성된다. | - |
| 199 | 대기 | 【００４４】 | [0044] | - |
| 200 | 대기 | 保持装置５０は、イオンビームが被処理物Ｗに照射される注入位置と、基板搬送装置１８との間で被処理物Ｗが搬入または搬出される搬送位置との間で、保持装置５０に保持される被処理物Ｗが移動可能となるように構成される。 | 유지장치(50)는, 이온빔이 피처리물(W)에 조사되는 주입위치와, 기판반송장치(18)의 사이에서 피처리물(W)이 반입 또는 반출되는 반송위치의 사이에서, 유지장치(50)에 유지되는 피처리물(W)이 이동 가능해지도록 구성된다. | - |
| 201 | 대기 | 図２は、被処理物Ｗが注入位置にある状態を示しており、保持装置５０に保持される被処理物Ｗは、ビームラインＡと交差する位置および向きとなる。 | 도 2는, 피처리물(W)이 주입위치에 있는 상태를 나타내고 있으며, 유지장치(50)에 유지되는 피처리물(W)은, 빔라인(A)과 교차하는 위치 및 방향이 된다. | - |
| 202 | 대기 | 被処理物Ｗの搬送位置は、基板搬送装置１８に設けられる搬送機構または搬送ロボットにより搬送口４８を通じて被処理物Ｗが搬入または搬出される際のチャック機構５２の位置に対応する。 | 피처리물(W)의 반송위치는, 기판반송장치(18)에 마련되는 반송기구 또는 반송로봇에 의하여 반송구(48)를 통하여 피처리물(W)이 반입 또는 반출될 때의 척기구(52)의 위치에 대응한다. | - |
| 203 | 대기 | 【００４５】 | [0045] | - |
| 204 | 대기 | ビームストッパ４６は、ビームラインＡの最下流に設けられ、例えば、真空処理室１６の内壁に取り付けられる。 | 빔스토퍼(46)는, 빔라인(A)의 최하류에 마련되며, 예를 들면, 진공처리실(16)의 내벽에 장착된다. | - |
| 205 | 대기 | ビームラインＡ上に被処理物Ｗが存在しない場合、イオンビームはビームストッパ４６に入射する。 | 빔라인(A) 상에 피처리물(W)이 존재하지 않는 경우, 이온빔은 빔스토퍼(46)에 입사된다. | - |
| 206 | 대기 | ビームストッパ４６は、真空処理室１６と基板搬送装置１８の間を接続する搬送口４８の近くに位置しており、搬送口４８よりも鉛直下方の位置に設けられる。 | 빔스토퍼(46)는, 진공처리실(16)과 기판반송장치(18)의 사이를 접속하는 반송구(48)의 가까이에 위치하고 있으며, 반송구(48)보다 연직하방의 위치에 마련된다. | - |
| 207 | 대기 | 【００４６】 | [0046] | - |
| 208 | 대기 | ビームストッパ４６には、複数のチューニングカップ４７（４７ａ，４７ｂ，４７ｃ，４７ｄ）が設けられている。 | 빔스토퍼(46)에는, 복수의 튜닝컵(47(47a, 47b, 47c, 47d))이 마련되어 있다. | - |
| 209 | 대기 | 複数のチューニングカップ４７は、ビームストッパ４６に入射するイオンビームのビーム電流を測定するよう構成されるファラデーカップである。 | 복수의 튜닝컵(47)은, 빔스토퍼(46)에 입사되는 이온빔의 빔전류를 측정하도록 구성되는 패러데이컵이다. | - |
| 210 | 대기 | 複数のチューニングカップ４７は、ｘ方向に間隔をあけて配置されている。 | 복수의 튜닝컵(47)은, x방향으로 간격을 두고 배치되어 있다. | - |
| 211 | 대기 | 複数のチューニングカップ４７は、例えば、注入位置におけるビーム電流をプロファイラカップ４４を用いずに簡易的に測定するために用いられる。 | 복수의 튜닝컵(47)은, 예를 들면, 주입위치에 있어서의 빔전류를 프로파일러컵(44)을 이용하지 않고 간이적으로 측정하기 위하여 이용된다. | - |
| 212 | 대기 | 【００４７】 | [0047] | - |
| 213 | 대기 | サイドカップ４２（４２Ｌ，４２Ｒ）、プロファイラカップ４４およびチューニングカップ４７（４７ａ～４７ｄ）は、イオンビームの物理量としてビーム電流を測定するためのビーム測定装置、または、ビーム電流を検出するためのビーム検出部（beam detector）である。 | 사이드컵(42(42L, 42R)), 프로파일러컵(44) 및 튜닝컵(47(47a~47d))은, 이온빔의 물리량으로서 빔전류를 측정하기 위한 빔측정장치, 또는, 빔전류를 검출하기 위한 빔검출부(beam detector)이다. | - |
| 214 | 대기 | サイドカップ４２（４２Ｌ，４２Ｒ）、プロファイラカップ４４およびチューニングカップ４７（４７ａ～４７ｄ）は、イオンビームの物理量としてビーム角度を測定するためのビーム測定装置、または、ビーム角度を検出するためのビーム検出部であってもよい。 | 사이드컵(42(42L, 42R)), 프로파일러컵(44) 및 튜닝컵(47(47a~47d))은, 이온빔의 물리량으로서 빔각도를 측정하기 위한 빔측정장치, 또는, 빔각도를 검출하기 위한 빔검출부여도 된다. | - |
| 215 | 대기 | 【００４８】 | [0048] | - |
| 216 | 대기 | イオン注入装置１０は、制御装置５６をさらに備える。 | 이온주입장치(10)는, 제어장치(56)를 더 구비한다. | - |
| 217 | 대기 | 制御装置５６は、イオン注入装置１０の動作全般を制御する。 | 제어장치(56)는, 이온주입장치(10)의 동작 전반을 제어한다. | - |
| 218 | 대기 | 制御装置５６は、ハードウェア的には、コンピュータのＣＰＵやメモリをはじめとする素子や機械装置で実現され、ソフトウェア的にはコンピュータプログラム等によって実現される。 | 제어장치(56)는, 하드웨어적으로는, 컴퓨터의 CPU나 메모리를 비롯한 소자나 기계장치로 실현되고, 소프트웨어적으로는 컴퓨터프로그램 등에 의하여 실현된다. | - |
| 219 | 대기 | 制御装置５６により提供される各種機能は、ハードウェアおよびソフトウェアの連携によって実現されうる。 | 제어장치(56)에 의하여 제공되는 각종 기능은, 하드웨어 및 소프트웨어의 연계에 의하여 실현될 수 있다. | - |
| 220 | 대기 | 【００４９】 | [0049] | - |
| 221 | 대기 | 制御装置５６は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）などのプロセッサ５７と、ＲＯＭ（Read Only Memory）やＲＡＭ（Random Access Memory）などのメモリ５８とを含む。 | 제어장치(56)는, CPU(Central Processing Unit) 등의 프로세서(57)와, ROM(Read Only Memory)이나 RAM(Random Access Memory) 등의 메모리(58)를 포함한다. | - |
| 222 | 대기 | 制御装置５６は、例えば、メモリ５８に格納されたプログラムをプロセッサ５７が実行することにより、プログラムにしたがってイオン注入装置１０の動作全般を制御する。 | 제어장치(56)는, 예를 들면, 메모리(58)에 저장된 프로그램을 프로세서(57)가 실행함으로써, 프로그램에 따라 이온주입장치(10)의 동작 전반을 제어한다. | - |
| 223 | 대기 | プロセッサ５７は、メモリ５８とは異なる任意の記憶装置に記憶されるプログラムを実行してもよいし、読取装置により任意の記録媒体から取得されるプログラムを実行してもよいし、ネットワークを介して取得されるプログラムを実行してもよい。 | 프로세서(57)는, 메모리(58)와는 상이한 임의의 기억장치에 기억되는 프로그램을 실행해도 되고, 판독장치에 의하여 임의의 기록매체로부터 취득되는 프로그램을 실행해도 되며, 네트워크를 통하여 취득되는 프로그램을 실행해도 된다. | - |
| 224 | 대기 | プログラムが格納されるメモリ５８は、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）などの揮発性メモリであってもよいし、ＥＥＰＲＯＭ（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）、フラッシュメモリ、磁気抵抗メモリ、抵抗変化型メモリ、強誘電体メモリなどの不揮発性メモリであってもよい。 | 프로그램이 저장되는 메모리(58)는, DRAM(Dynamic Random Access Memory) 등의 휘발성 메모리여도 되고, EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory), 플래시메모리, 자기저항메모리, 저항변화형 메모리, 강유전체메모리 등의 불휘발성 메모리여도 된다. | - |
| 225 | 대기 | 不揮発性メモリ、磁気テープおよび磁気ディスクなどの磁気記録媒体ならびに光学ディスクなどの光学記録媒体は、非一時的（non-transitory）かつ有形（tangible）なコンピュータ読み取り可能（computer readable）である記録媒体（storage medium）の一例である。 | 불휘발성 메모리, 자기테이프 및 자기디스크 등의 자기기록매체 및 광학디스크 등의 광학기록매체는, 비일시적(non-transitory)이고 또한 유형(tangible)인 컴퓨터판독 가능(computer readable)한 기록매체(storage medium)의 일례이다. | - |
| 226 | 대기 | 【００５０】 | [0050] | - |
| 227 | 대기 | 制御装置５６が提供する各種機能は、プロセッサ５７およびメモリ５８を備える単一の装置によって実現されてもよいし、それぞれがプロセッサ５７およびメモリ５８を備える複数の装置の連携によって実現されてもよい。 | 제어장치(56)가 제공하는 각종 기능은, 프로세서(57) 및 메모리(58)를 구비하는 단일의 장치에 의하여 실현되어도 되고, 각각이 프로세서(57) 및 메모리(58)를 구비하는 복수의 장치의 연계에 의하여 실현되어도 된다. | - |
| 228 | 대기 | 【００５１】 | [0051] | - |
| 229 | 대기 | イオン注入装置１０は、照射装置６０をさらに備える。 | 이온주입장치(10)는, 조사장치(60)를 더 구비한다. | - |
| 230 | 대기 | 照射装置６０は、真空処理室１６に設けられる。 | 조사장치(60)는, 진공처리실(16)에 마련된다. | - |
| 231 | 대기 | 照射装置６０は、保持装置５０に保持される被処理物Ｗに電磁放射６２を照射するように構成される。 | 조사장치(60)는, 유지장치(50)에 유지되는 피처리물(W)에 전자기방사(62)를 조사하도록 구성된다. | - |
| 232 | 대기 | 照射装置６０は、被処理物Ｗにイオンビームが照射されている注入工程において、被処理物Ｗに電磁放射６２を照射するように構成される。 | 조사장치(60)는, 피처리물(W)에 이온빔이 조사되고 있는 주입공정에 있어서, 피처리물(W)에 전자기방사(62)를 조사하도록 구성된다. | - |
| 233 | 대기 | 照射装置６０は、電磁放射６２の照射によって被処理物Ｗを局所的に加熱するように構成される。 | 조사장치(60)는, 전자기방사(62)의 조사에 의하여 피처리물(W)을 국소적으로 가열하도록 구성된다. | - |
| 234 | 대기 | 照射装置６０は、イオンビームＢの照射によって被処理物Ｗに生じるダメージを、電磁放射６２の照射による局所的な加熱によって回復させるよう構成される。 | 조사장치(60)는, 이온빔(B)의 조사에 의하여 피처리물(W)에 발생하는 대미지를, 전자기방사(62)의 조사에 의한 국소적인 가열에 의하여 회복시키도록 구성된다. | - |
| 235 | 대기 | 【００５２】 | [0052] | - |
| 236 | 대기 | 被処理物Ｗは、例えばパワー半導体の製造に使用される半導体基板であってもよい。 | 피처리물(W)은, 예를 들면 파워반도체의 제조에 사용되는 반도체기판이어도 된다. | - |
| 237 | 대기 | 被処理物Ｗは、シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）またはダイヤモンド（Ｃ）といった単一元素から構成される元素半導体であってもよいし、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、砒化ガリウム（ＧａＡｓ）または酸化ガリウム（Ｇａ２Ｏ３）といった化合物半導体であってもよい。 | 피처리물(W)은, 실리콘(Si), 게르마늄(Ge) 또는 다이아몬드(C)와 같은 단일원소로 구성되는 원소반도체여도 되고, 탄화규소(SiC), 질화갈륨(GaN), 비화갈륨(GaAs) 또는 산화갈륨(Ga2O3)과 같은 화합물반도체여도 된다. | - |
| 238 | 대기 | 【００５３】 | [0053] | - |
| 239 | 대기 | 図３は、実施の形態に係る照射装置６０の概略構成を示す図である。 | 도 3은, 실시형태에 관한 조사장치(60)의 개략구성을 나타내는 도이다. | - |
| 240 | 대기 | 照射装置６０は、放射源６４と、可変機構６６とを備える。 | 조사장치(60)는, 방사원(64)과, 가변기구(66)를 구비한다. | - |
| 241 | 대기 | 【００５４】 | [0054] | - |
| 242 | 대기 | 放射源６４は、電磁放射６２を出射する。 | 방사원(64)은, 전자기방사(62)를 출사한다. | - |
| 243 | 대기 | 放射源６４から出射される電磁放射６２は、赤外線、可視光線、紫外線またはＸ線といった任意の波長を有する電磁波である。 | 방사원(64)으로부터 출사되는 전자기방사(62)는, 적외선, 가시광선, 자외선 또는 X선과 같은 임의의 파장을 갖는 전자기파이다. | - |
| 244 | 대기 | 放射源６４は、ハロゲンランプ、フィラメントヒータ、レーザ光源、半導体発光素子といった任意の電磁波生成源である。 | 방사원(64)은, 할로젠램프, 필라멘트히터, 레이저광원, 반도체발광소자와 같은 임의의 전자기파생성원이다. | - |
| 245 | 대기 | 放射源６４は、発光ダイオード（ＬＥＤ）やレーザダイオード（ＬＤ）といった半導体発光素子を備えてもよい。 | 방사원(64)은, 발광다이오드(LED)나 레이저다이오드(LD)와 같은 반도체발광소자를 구비해도 된다. | - |
| 246 | 대기 | 【００５５】 | [0055] | - |
| 247 | 대기 | 放射源６４は、電磁波生成源自体ではなく、電磁波生成源からの電磁放射６２を伝送する導波路の出口であってもよい。 | 방사원(64)은, 전자기파생성원 자체가 아니라, 전자기파생성원으로부터의 전자기방사(62)를 전송하는 도파로(導波路)의 출구여도 된다. | - |
| 248 | 대기 | 放射源６４は、例えば近赤外光または可視光（緑色や青色）のレーザ光を伝送する光ファイバの出口であってもよい。 | 방사원(64)은, 예를 들면 근적외광 또는 가시광(녹색이나 청색)의 레이저광을 전송하는 광파이버의 출구여도 된다. | - |
| 249 | 대기 | 放射源６４は、導波路の出口に設けられ、電磁放射６２を集束させるためのレンズなどの光学素子であってもよい。 | 방사원(64)은, 도파로의 출구에 마련되고, 전자기방사(62)를 집속시키기 위한 렌즈 등의 광학소자여도 된다. | - |
| 250 | 대기 | この場合、電磁波生成源は、真空処理室１６の外部に設けられ、真空処理室１６の外部から内部に延びる導波路によって電磁放射６２が放射源６４まで伝送されてもよい。 | 이 경우, 전자기파생성원은, 진공처리실(16)의 외부에 마련되고, 진공처리실(16)의 외부로부터 내부로 뻗는 도파로에 의하여 전자기방사(62)가 방사원(64)까지 전송되어도 된다. | - |
| 251 | 대기 | 別の例では、真空処理室１６の壁面に設けられる真空窓を通じて、真空処理室１６の外部から内部に電磁放射６２が導入され、放射源６４まで伝送されてもよい。 | 다른 예에서는, 진공처리실(16)의 벽면에 마련되는 진공창을 통하여, 진공처리실(16)의 외부로부터 내부로 전자기방사(62)가 도입되고, 방사원(64)까지 전송되어도 된다. | - |
| 252 | 대기 | 真空窓の内側には、レジストアウトガスによる窓汚れを抑制するために微量のガスの流れが存在してもよい。 | 진공창의 내측에는, 레지스트아웃가스에 의한 창오염을 억제하기 위하여 미량의 가스의 흐름이 존재해도 된다. | - |
| 253 | 대기 | 【００５６】 | [0056] | - |
| 254 | 대기 | 可変機構６６は、電磁放射６２の進行方向を変化させるよう構成される。 | 가변기구(66)는, 전자기방사(62)의 진행방향을 변화시키도록 구성된다. | - |
| 255 | 대기 | 可変機構６６は、例えば放射源６４の向きを変化させることにより、放射源６４から出射される電磁放射６２の進行方向を変化させる。 | 가변기구(66)는, 예를 들면 방사원(64)의 방향을 변화시킴으로써, 방사원(64)으로부터 출사되는 전자기방사(62)의 진행방향을 변화시킨다. | - |
| 256 | 대기 | 可変機構６６は、放射源６４のｙ方向の向きを変化させるように構成される。 | 가변기구(66)는, 방사원(64)의 y방향의 방향을 변화시키도록 구성된다. | - |
| 257 | 대기 | 可変機構６６は、放射源６４の向きを変化させる代わりに、電磁放射６２を伝送する光学素子（例えばミラーやレンズ）の向きを変化させることにより、電磁放射６２の進行方向を変化させてもよい。 | 가변기구(66)는, 방사원(64)의 방향을 변화시키는 대신에, 전자기방사(62)를 전송하는 광학소자(예를 들면 미러나 렌즈)의 방향을 변화시킴으로써, 전자기방사(62)의 진행방향을 변화시켜도 된다. | - |
| 258 | 대기 | 【００５７】 | [0057] | - |
| 259 | 대기 | 照射装置６０は、例えば、イオンビームＢが照射されている被処理物Ｗと対向する位置に設けられる。 | 조사장치(60)는, 예를 들면, 이온빔(B)이 조사되고 있는 피처리물(W)과 대향하는 위치에 마련된다. | - |
| 260 | 대기 | 照射装置６０は、被処理物ＷよりもビームラインＡの上流側に位置する。 | 조사장치(60)는, 피처리물(W)보다 빔라인(A)의 상류측에 위치한다. | - |
| 261 | 대기 | 照射装置６０は、イオンビームＢを遮蔽しないように、ビームラインＡを避けた位置に配置される。 | 조사장치(60)는, 이온빔(B)을 차폐하지 않도록, 빔라인(A)을 피한 위치에 배치된다. | - |
| 262 | 대기 | 照射装置６０は、例えばビームラインＡからｙ方向に離れた位置に設けられる。 | 조사장치(60)는, 예를 들면 빔라인(A)으로부터 y방향으로 이격된 위치에 마련된다. | - |
| 263 | 대기 | 【００５８】 | [0058] | - |
| 264 | 대기 | 照射装置６０は、被処理物ＷとイオンビームＢが交差する注入位置７０とは異なる照射位置７２に電磁放射６２を照射するように構成される。 | 조사장치(60)는, 피처리물(W)과 이온빔(B)이 교차하는 주입위치(70)와는 상이한 조사위치(72)에 전자기방사(62)를 조사하도록 구성된다. | - |
| 265 | 대기 | 照射位置７２は、注入位置７０とは所定方向（ｙ方向）に異なっている。 | 조사위치(72)는, 주입위치(70)와는 소정방향(y방향)으로 상이하다. | - |
| 266 | 대기 | 電磁放射６２は、照射位置７２を中心とした照射範囲８２に照射される。 | 전자기방사(62)는, 조사위치(72)를 중심으로 한 조사범위(82)에 조사된다. | - |
| 267 | 대기 | 照射範囲８２の所定方向（ｙ方向）のサイズは、被処理物Ｗの所定方向（ｙ方向）のサイズよりも小さい。 | 조사범위(82)의 소정방향(y방향)의 사이즈는, 피처리물(W)의 소정방향(y방향)의 사이즈보다 작다. | - |
| 268 | 대기 | したがって、電磁放射６２は、所定方向（ｙ方向）において狭い範囲に照射される。 | 따라서, 전자기방사(62)는, 소정방향(y방향)에 있어서 좁은 범위에 조사된다. | - |
| 269 | 대기 | 【００５９】 | [0059] | - |
| 270 | 대기 | イオンビームＢは、注入位置７０を中心とした注入範囲８０に照射される。 | 이온빔(B)은, 주입위치(70)를 중심으로 한 주입범위(80)에 조사된다. | - |
| 271 | 대기 | 照射範囲８２は、例えば注入範囲８０とは重ならないように設定される。 | 조사범위(82)는, 예를 들면 주입범위(80)와는 겹치지 않도록 설정된다. | - |
| 272 | 대기 | 照射範囲８２は、注入範囲８０と重なるように設定されてもよい。 | 조사범위(82)는, 주입범위(80)와 겹치도록 설정되어도 된다. | - |
| 273 | 대기 | 照射範囲８２は、注入範囲８０と部分的に重なるように設定されてもよいし、注入範囲８０の全体と重なるように設定されてもよい。 | 조사범위(82)는, 주입범위(80)와 부분적으로 겹치도록 설정되어도 되고, 주입범위(80)의 전체와 겹치도록 설정되어도 된다. | - |
| 274 | 대기 | 【００６０】 | [0060] | - |
| 275 | 대기 | 所定方向（ｙ方向）における照射範囲８２のサイズは、所定方向（ｙ方向）における注入範囲８０のサイズ、つまり、所定方向（ｙ方向）におけるイオンビームＢのサイズより大きくてもよい。 | 소정방향(y방향)에 있어서의 조사범위(82)의 사이즈는, 소정방향(y방향)에 있어서의 주입범위(80)의 사이즈, 즉, 소정방향(y방향)에 있어서의 이온빔(B)의 사이즈보다 커도 된다. | - |
| 276 | 대기 | 所定方向（ｙ方向）における照射範囲８２のサイズは、所定方向（ｙ方向）における注入範囲８０のサイズ、つまり、所定方向（ｙ方向）におけるイオンビームＢのサイズと同じであってもよい。 | 소정방향(y방향)에 있어서의 조사범위(82)의 사이즈는, 소정방향(y방향)에 있어서의 주입범위(80)의 사이즈, 즉, 소정방향(y방향)에 있어서의 이온빔(B)의 사이즈와 동일해도 된다. | - |
| 277 | 대기 | 所定方向（ｙ方向）における照射範囲８２のサイズは、所定方向（ｙ方向）における注入範囲８０のサイズ、つまり、所定方向（ｙ方向）におけるイオンビームＢのサイズより小さくてもよい。 | 소정방향(y방향)에 있어서의 조사범위(82)의 사이즈는, 소정방향(y방향)에 있어서의 주입범위(80)의 사이즈, 즉, 소정방향(y방향)에 있어서의 이온빔(B)의 사이즈보다 작아도 된다. | - |
| 278 | 대기 | 【００６１】 | [0061] | - |
| 279 | 대기 | 図４は、イオンビームＢおよび電磁放射６２が照射される範囲を概略的に示す平面図であり、被処理物Ｗの被処理面を示す。 | 도 4는, 이온빔(B) 및 전자기방사(62)가 조사되는 범위를 개략적으로 나타내는 평면도이며, 피처리물(W)의 피처리면을 나타낸다. | - |
| 280 | 대기 | 所定方向に直交する方向（ｘ方向）における注入範囲８０のサイズは、所定方向に直交する方向（ｘ方向）における被処理物Ｗのサイズよりも大きい。 | 소정방향에 직교하는 방향(x방향)에 있어서의 주입범위(80)의 사이즈는, 소정방향에 직교하는 방향(x방향)에 있어서의 피처리물(W)의 사이즈보다 크다. | - |
| 281 | 대기 | 同様に、所定方向に直交する方向（ｘ方向）における照射範囲８２のサイズは、所定方向に直交する方向（ｘ方向）における被処理物Ｗのサイズよりも大きい。 | 동일하게, 소정방향에 직교하는 방향(x방향)에 있어서의 조사범위(82)의 사이즈는, 소정방향에 직교하는 방향(x방향)에 있어서의 피처리물(W)의 사이즈보다 크다. | - |
| 282 | 대기 | これにより、所定方向に直交する方向（ｘ方向）の全体にわたってイオンビームＢおよび電磁放射６２を照射できる。 | 이로써, 소정방향에 직교하는 방향(x방향)의 전체에 걸쳐 이온빔(B) 및 전자기방사(62)를 조사할 수 있다. | - |
| 283 | 대기 | 【００６２】 | [0062] | - |
| 284 | 대기 | 電磁放射６２は、所定方向に直交する方向（ｘ方向）に往復走査されることにより、照射範囲８２の全体に照射されてもよい。 | 전자기방사(62)는, 소정방향에 직교하는 방향(x방향)으로 왕복주사됨으로써, 조사범위(82)의 전체에 조사되어도 된다. | - |
| 285 | 대기 | この場合、放射源６４は、電磁放射６２を往復走査するための走査機構を備えてもよい。 | 이 경우, 방사원(64)은, 전자기방사(62)를 왕복주사하기 위한 주사기구를 구비해도 된다. | - |
| 286 | 대기 | 電磁放射６２は、所定方向に直交する方向（ｘ方向）に長いビーム形状を有してもよい。 | 전자기방사(62)는, 소정방향에 직교하는 방향(x방향)으로 긴 빔형상을 가져도 된다. | - |
| 287 | 대기 | この場合、放射源６４は、所定方向に直交する方向（ｘ方向）に長い直管状の電磁波生成源を備えてもよいし、所定方向に直交する方向（ｘ方向）に配列される複数の電磁波生成源を備えてもよい。 | 이 경우, 방사원(64)은, 소정방향에 직교하는 방향(x방향)으로 긴 직관상(直管狀)의 전자기파생성원을 구비해도 되고, 소정방향에 직교하는 방향(x방향)으로 배열되는 복수의 전자기파생성원을 구비해도 된다. | - |
| 288 | 대기 | 放射源６４は、電磁放射６２を所定方向に直交する方向（ｘ方向）に拡げるためのレンズやミラーといった光学素子を備えてもよい。 | 방사원(64)은, 전자기방사(62)를 소정방향에 직교하는 방향(x방향)으로 넓히기 위한 렌즈나 미러와 같은 광학소자를 구비해도 된다. | - |
| 289 | 대기 | 【００６３】 | [0063] | - |
| 290 | 대기 | 照射位置７２は、注入位置７０とは所定方向（ｙ方向）に異なっている。 | 조사위치(72)는, 주입위치(70)와는 소정방향(y방향)으로 상이하다. | - |
| 291 | 대기 | 被処理物Ｗは、イオンビームＢの照射中に所定方向（ｙ方向）に移動しているため、注入位置７０および照射位置７２を所定方向（ｙ方向）に異ならせることにより、被処理物Ｗの任意の点における注入タイミングと照射タイミングをずらすことができる。 | 피처리물(W)은, 이온빔(B)의 조사 중에 소정방향(y방향)으로 이동하고 있기 때문에, 주입위치(70) 및 조사위치(72)를 소정방향(y방향)으로 상이하게 함으로써, 피처리물(W)의 임의의 점에 있어서의 주입타이밍과 조사타이밍을 어긋나게 할 수 있다. | - |
| 292 | 대기 | 【００６４】 | [0064] | - |
| 293 | 대기 | 図５（ａ）～（ｃ）は、移動する被処理物Ｗと注入位置７０および照射位置７２との位置関係を概略的に示す平面図である。 | 도 5의 (a)~도 5의 (c)는, 이동하는 피처리물(W)과 주입위치(70) 및 조사위치(72)의 위치관계를 개략적으로 나타내는 평면도이다. | - |
| 294 | 대기 | 図５（ａ）～（ｃ）において、注入位置７０および照射位置７２は固定されており、被処理物Ｗは、所定方向に沿った第１方向Ｙ１（例えば重力方向上側）に移動している。 | 도 5의 (a)~도 5의 (c)에 있어서, 주입위치(70) 및 조사위치(72)는 고정되어 있고, 피처리물(W)은, 소정방향을 따른 제1 방향(Y1)(예를 들면 중력방향 상측)으로 이동하고 있다. | - |
| 295 | 대기 | また、被処理物Ｗの任意の点として、中心点Ｏを例示している。 | 또, 피처리물(W)의 임의의 점으로서, 중심점(O)을 예시하고 있다. | - |
| 296 | 대기 | 【００６５】 | [0065] | - |
| 297 | 대기 | 図５（ａ）は、被処理物Ｗの中心点Ｏが注入位置７０および照射位置７２よりも下側、つまり、被処理物Ｗが移動する第１方向Ｙ１とは反対側（上流側）にある状態を示す。 | 도 5의 (a)는, 피처리물(W)의 중심점(O)이 주입위치(70) 및 조사위치(72)보다 하측, 즉, 피처리물(W)이 이동하는 제1 방향(Y1)과는 반대측(상류측)에 있는 상태를 나타낸다. | - |
| 298 | 대기 | 図５（ａ）に示される状態においては、被処理物Ｗの中心点Ｏには、イオンビームＢが照射されておらず、電磁放射６２も照射されていない。 | 도 5의 (a)에 나타나는 상태에 있어서는, 피처리물(W)의 중심점(O)에는, 이온빔(B)이 조사되어 있지 않고, 전자기방사(62)도 조사되어 있지 않다. | - |
| 299 | 대기 | 【００６６】 | [0066] | - |
| 300 | 대기 | 図５（ｂ）は、図５（ａ）よりも後の状態を示し、被処理物Ｗが第１方向Ｙ１に移動し、被処理物Ｗの中心点Ｏが注入位置７０にある状態を示す。 | 도 5의 (b)는, 도 5의 (a)보다 후의 상태를 나타내고, 피처리물(W)이 제1 방향(Y1)으로 이동하여, 피처리물(W)의 중심점(O)이 주입위치(70)에 있는 상태를 나타낸다. | - |
| 301 | 대기 | 図５（ｂ）に示される状態においては、被処理物Ｗの中心点Ｏには、イオンビームＢが照射されているが、電磁放射６２は照射されていない。 | 도 5의 (b)에 나타나는 상태에 있어서는, 피처리물(W)의 중심점(O)에는, 이온빔(B)이 조사되어 있지만, 전자기방사(62)는 조사되어 있지 않다. | - |
| 302 | 대기 | 【００６７】 | [0067] | - |
| 303 | 대기 | 図５（ｃ）は、図５（ｂ）よりも後の状態を示し、被処理物Ｗが第１方向Ｙ１に移動し、被処理物Ｗの中心点Ｏが照射位置７２にある状態を示す。 | 도 5의 (c)는, 도 5의 (b)보다 후의 상태를 나타내고, 피처리물(W)이 제1 방향(Y1)으로 이동하여, 피처리물(W)의 중심점(O)이 조사위치(72)에 있는 상태를 나타낸다. | - |
| 304 | 대기 | 図５（ｃ）に示される状態においては、被処理物Ｗの中心点Ｏには、イオンビームＢが照射されていないが、電磁放射６２が照射されている。 | 도 5의 (c)에 나타나는 상태에 있어서는, 피처리물(W)의 중심점(O)에는, 이온빔(B)이 조사되어 있지 않지만, 전자기방사(62)가 조사되어 있다. | - |
| 305 | 대기 | 【００６８】 | [0068] | - |
| 306 | 대기 | 図５（ａ）～（ｃ）の例では、被処理物Ｗの任意の点においてイオンビームＢが照射された後に電磁放射６２が照射されることになる。 | 도 5의 (a)~도 5의 (c)의 예에서는, 피처리물(W)의 임의의 점에 있어서 이온빔(B)이 조사된 후에 전자기방사(62)가 조사되게 된다. | - |
| 307 | 대기 | つまり、被処理物Ｗの任意の点において、イオン注入の直後に電磁放射６２の照射による加熱が生じることになる。 | 즉, 피처리물(W)의 임의의 점에 있어서, 이온주입 직후에 전자기방사(62)의 조사에 의한 가열이 발생하게 된다. | - |
| 308 | 대기 | その結果、イオンビームの照射によって被処理物に局所的に生じるダメージを、電磁放射６２の照射による加熱によって回復させることができる。 | 그 결과, 이온빔의 조사에 의하여 피처리물에 국소적으로 발생하는 대미지를, 전자기방사(62)의 조사에 의한 가열에 의하여 회복시킬 수 있다. | - |
| 309 | 대기 | 【００６９】 | [0069] | - |
| 310 | 대기 | 図６（ａ）～（ｃ）は、移動する被処理物Ｗと注入位置７０および照射位置７２との位置関係を概略的に示す平面図であり、図５（ａ）～（ｃ）とは被処理物Ｗの移動方向が逆である。 | 도 6의 (a)~도 6의 (c)는, 이동하는 피처리물(W)과 주입위치(70) 및 조사위치(72)의 위치관계를 개략적으로 나타내는 평면도이며, 도 5의 (a)~도 5의 (c)와는 피처리물(W)의 이동방향이 반대이다. | - |
| 311 | 대기 | つまり、図６（ａ）～（ｃ）において、被処理物Ｗは、第１方向Ｙ１とは反対の第２方向Ｙ２（例えば重力方向下側）に移動している。 | 즉, 도 6의 (a)~도 6의 (c)에 있어서, 피처리물(W)은, 제1 방향(Y1)과는 반대인 제2 방향(Y2)(예를 들면 중력방향 하측)으로 이동하고 있다. | - |
| 312 | 대기 | 【００７０】 | [0070] | - |
| 313 | 대기 | 図６（ａ）は、被処理物Ｗの中心点Ｏが注入位置７０および照射位置７２よりも上側、つまり、被処理物Ｗが移動する第２方向Ｙ２とは反対側（上流側）にある状態を示す。 | 도 6의 (a)는, 피처리물(W)의 중심점(O)이 주입위치(70) 및 조사위치(72)보다 상측, 즉, 피처리물(W)이 이동하는 제2 방향(Y2)과는 반대측(상류측)에 있는 상태를 나타낸다. | - |
| 314 | 대기 | 図６（ａ）に示される状態においては、被処理物Ｗの中心点Ｏには、イオンビームＢが照射されておらず、電磁放射６２も照射されていない。 | 도 6의 (a)에 나타나는 상태에 있어서는, 피처리물(W)의 중심점(O)에는, 이온빔(B)이 조사되어 있지 않고, 전자기방사(62)도 조사되어 있지 않다. | - |
| 315 | 대기 | 【００７１】 | [0071] | - |
| 316 | 대기 | 図６（ｂ）は、図６（ａ）よりも後の状態を示し、被処理物Ｗが第２方向Ｙ２に移動し、被処理物Ｗの中心点Ｏが照射位置７２にある状態を示す。 | 도 6의 (b)는, 도 6의 (a)보다 후의 상태를 나타내고, 피처리물(W)이 제2 방향(Y2)으로 이동하여, 피처리물(W)의 중심점(O)이 조사위치(72)에 있는 상태를 나타낸다. | - |
| 317 | 대기 | 図６（ｂ）に示される状態においては、被処理物Ｗの中心点Ｏには、電磁放射６２が照射されているが、イオンビームＢが照射されていない。 | 도 6의 (b)에 나타나는 상태에 있어서는, 피처리물(W)의 중심점(O)에는, 전자기방사(62)가 조사되어 있지만, 이온빔(B)이 조사되어 있지 않다. | - |
| 318 | 대기 | 【００７２】 | [0072] | - |
| 319 | 대기 | 図６（ｃ）は、図６（ｂ）よりも後の状態を示し、被処理物Ｗが第２方向Ｙ２に移動し、被処理物Ｗの中心点Ｏが注入位置７０にある状態を示す。 | 도 6의 (c)는, 도 6의 (b)보다 후의 상태를 나타내고, 피처리물(W)이 제2 방향(Y2)으로 이동하여, 피처리물(W)의 중심점(O)이 주입위치(70)에 있는 상태를 나타낸다. | - |
| 320 | 대기 | 図６（ｃ）に示される状態においては、被処理物Ｗの中心点Ｏには、電磁放射６２が照射されていないが、イオンビームＢが照射されている。 | 도 6의 (c)에 나타나는 상태에 있어서는, 피처리물(W)의 중심점(O)에는, 전자기방사(62)가 조사되어 있지 않지만, 이온빔(B)이 조사되어 있다. | - |
| 321 | 대기 | 【００７３】 | [0073] | - |
| 322 | 대기 | 図６（ａ）～（ｃ）の例では、被処理物Ｗの任意の点において電磁放射６２が照射された後にイオンビームＢが照射されることになる。 | 도 6의 (a)~도 6의 (c)의 예에서는, 피처리물(W)의 임의의 점에 있어서 전자기방사(62)가 조사된 후에 이온빔(B)이 조사되게 된다. | - |
| 323 | 대기 | つまり、被処理物Ｗの任意の点において、電磁放射６２の照射による加熱の直後にイオン注入が生じることになる。 | 즉, 피처리물(W)의 임의의 점에 있어서, 전자기방사(62)의 조사에 의한 가열의 직후에 이온주입이 발생하게 된다. | - |
| 324 | 대기 | 加熱後にイオン注入する場合、イオン注入後に加熱する場合に比べて、ダメージの回復量が低下しうることが発明者らの知見によって分かっている。 | 가열 후에 이온주입하는 경우, 이온주입 후에 가열하는 경우에 비하여, 대미지의 회복량이 저하될 수 있는 것이 발명자들의 지견(知見)에 의하여 알려져 있다. | - |
| 325 | 대기 | したがって、被処理物Ｗの移動方向に応じて、注入位置７０および照射位置７２の位置関係を切り替えることが好ましい。 | 따라서, 피처리물(W)의 이동방향에 따라, 주입위치(70) 및 조사위치(72)의 위치관계를 전환하는 것이 바람직하다. | - |
| 326 | 대기 | 【００７４】 | [0074] | - |
| 327 | 대기 | 図７および図８は、実施の形態に係る照射装置６０の動作例を概略的に示す図である。 | 도 7 및 도 8은, 실시형태에 관한 조사장치(60)의 동작예를 개략적으로 나타내는 도이다. | - |
| 328 | 대기 | 図７は、被処理物Ｗが第１方向Ｙ１（例えば重力方向上側）に移動している状態を示し、図８は、被処理物Ｗが第１方向Ｙ１とは反対の第２方向Ｙ２（例えば重力方向下側）に移動している状態を示す。 | 도 7은, 피처리물(W)이 제1 방향(Y1)(예를 들면 중력방향 상측)으로 이동하고 있는 상태를 나타내고, 도 8은, 피처리물(W)이 제1 방향(Y1)과는 반대인 제2 방향(Y2)(예를 들면 중력방향 하측)으로 이동하고 있는 상태를 나타낸다. | - |
| 329 | 대기 | 【００７５】 | [0075] | - |
| 330 | 대기 | 照射装置６０は、図７に示されるように被処理物Ｗが第１方向Ｙ１に移動する場合、注入位置７０よりも第１方向Ｙ１側（例えば上側）となる第１照射位置７４に電磁放射６２を照射する。 | 조사장치(60)는, 도 7에 나타나는 바와 같이 피처리물(W)이 제1 방향(Y1)으로 이동하는 경우, 주입위치(70)보다 제1 방향(Y1)측(예를 들면 상측)이 되는 제1 조사위치(74)에 전자기방사(62)를 조사한다. | - |
| 331 | 대기 | 照射装置６０は、被処理物Ｗが第１方向Ｙ１に移動する場合、第１照射位置７４を中心とする第１照射範囲８４に電磁放射６２を照射する。 | 조사장치(60)는, 피처리물(W)이 제1 방향(Y1)으로 이동하는 경우, 제1 조사위치(74)를 중심으로 하는 제1 조사범위(84)에 전자기방사(62)를 조사한다. | - |
| 332 | 대기 | これにより、被処理物Ｗが第１方向Ｙ１に移動する場合、被処理物Ｗの任意の点において、イオンビームＢを照射した直後に電磁放射６２を照射して加熱できる。 | 이로써, 피처리물(W)이 제1 방향(Y1)으로 이동하는 경우, 피처리물(W)의 임의의 점에 있어서, 이온빔(B)을 조사한 직후에 전자기방사(62)를 조사하여 가열할 수 있다. | - |
| 333 | 대기 | 【００７６】 | [0076] | - |
| 334 | 대기 | 照射装置６０は、図８に示されるように被処理物Ｗが第２方向Ｙ２に移動する場合、注入位置７０よりも第２方向Ｙ２側（例えば下側）となる第２照射位置７６に電磁放射６２を照射する。 | 조사장치(60)는, 도 8에 나타나는 바와 같이 피처리물(W)이 제2 방향(Y2)으로 이동하는 경우, 주입위치(70)보다 제2 방향(Y2)측(예를 들면 하측)이 되는 제2 조사위치(76)에 전자기방사(62)를 조사한다. | - |
| 335 | 대기 | 照射装置６０は、被処理物Ｗが第２方向Ｙ２に移動する場合、第２照射位置７６を中心とする第２照射範囲８６に電磁放射６２を照射する。 | 조사장치(60)는, 피처리물(W)이 제2 방향(Y2)으로 이동하는 경우, 제2 조사위치(76)를 중심으로 하는 제2 조사범위(86)에 전자기방사(62)를 조사한다. | - |
| 336 | 대기 | これにより、被処理物Ｗが第２方向Ｙ２に移動する場合であっても、被処理物Ｗの任意の点において、イオンビームＢを照射した直後に電磁放射６２を照射して加熱できる。 | 이로써, 피처리물(W)이 제2 방향(Y2)으로 이동하는 경우이더라도, 피처리물(W)의 임의의 점에 있어서, 이온빔(B)을 조사한 직후에 전자기방사(62)를 조사하여 가열할 수 있다. | - |
| 337 | 대기 | 【００７７】 | [0077] | - |
| 338 | 대기 | 第１照射位置７４および第２照射位置７６は、注入位置７０に対して所定方向（ｙ方向）において対称となるように設定することができる。 | 제1 조사위치(74) 및 제2 조사위치(76)는, 주입위치(70)에 대하여 소정방향(y방향)에 있어서 대칭이 되도록 설정할 수 있다. | - |
| 339 | 대기 | つまり、注入位置７０から第１照射位置７４までの所定方向（ｙ方向）の第１距離は、注入位置７０から第２照射位置７６までの所定方向（ｙ方向）の第２距離と同じであってもよい。 | 즉, 주입위치(70)부터 제1 조사위치(74)까지의 소정방향(y방향)의 제1 거리는, 주입위치(70)로부터 제2 조사위치(76)까지의 소정방향(y방향)의 제2 거리와 동일해도 된다. | - |
| 340 | 대기 | 被処理物Ｗの往復移動の速度が一定である場合、第１距離と第２距離を同じにすることにより、被処理物Ｗの任意の点におけるイオンビームＢの照射から電磁放射６２の照射までの時間間隔を等しくできる。 | 피처리물(W)의 왕복이동의 속도가 일정한 경우, 제1 거리와 제2 거리를 동일하게 함으로써, 피처리물(W)의 임의의 점에 있어서의 이온빔(B)의 조사로부터 전자기방사(62)의 조사까지의 시간 간격을 동일하게 할 수 있다. | - |
| 341 | 대기 | 【００７８】 | [0078] | - |
| 342 | 대기 | 第１照射範囲８４および第２照射範囲８６は、注入位置７０に対して所定方向（ｙ方向）において対称となるように設定することができる。 | 제1 조사범위(84) 및 제2 조사범위(86)는, 주입위치(70)에 대하여 소정방향(y방향)에 있어서 대칭이 되도록 설정할 수 있다. | - |
| 343 | 대기 | つまり、第１照射範囲８４の所定方向（ｙ方向）のサイズは、第２照射範囲８６の所定方向（ｙ方向）のサイズと同じであってもよい。 | 즉, 제1 조사범위(84)의 소정방향(y방향)의 사이즈는, 제2 조사범위(86)의 소정방향(y방향)의 사이즈와 동일해도 된다. | - |
| 344 | 대기 | 第１照射範囲８４および第２照射範囲８６の所定方向（ｙ方向）のサイズを同じにすることにより、被処理物Ｗの任意の点における電磁放射６２の照射時間を等しくできる。 | 제1 조사범위(84) 및 제2 조사범위(86)의 소정방향(y방향)의 사이즈를 동일하게 함으로써, 피처리물(W)의 임의의 점에 있어서의 전자기방사(62)의 조사시간을 동일하게 할 수 있다. | - |
| 345 | 대기 | 【００７９】 | [0079] | - |
| 346 | 대기 | 図９（ａ），（ｂ）は、照射装置６０による照射位置の切替を概略的に示す図であり、第１照射位置７４から第２照射位置７６への切替を示す。 | 도 9의 (a), 도 9의 (b)는, 조사장치(60)에 의한 조사위치의 전환을 개략적으로 나타내는 도이며, 제1 조사위치(74)로부터 제2 조사위치(76)로의 전환을 나타낸다. | - |
| 347 | 대기 | 図９（ａ）は、第１照射位置７４に向けた電磁放射６２の照射の終了時を示す。 | 도 9의 (a)는, 제1 조사위치(74)를 향한 전자기방사(62)의 조사종료 시를 나타낸다. | - |
| 348 | 대기 | 照射装置６０は、第１方向Ｙ１に移動する被処理物Ｗの全体が第１照射位置７４よりも第１方向Ｙ１側に位置する場合に、第１照射位置７４への電磁放射６２の照射を終了する。 | 조사장치(60)는, 제1 방향(Y1)으로 이동하는 피처리물(W)의 전체가 제1 조사위치(74)보다 제1 방향(Y1)측에 위치하는 경우에, 제1 조사위치(74)로의 전자기방사(62)의 조사를 종료한다. | - |
| 349 | 대기 | 照射装置６０は、被処理物Ｗの全体が第１照射範囲８４よりも第１方向Ｙ１側に位置する場合に、第１照射位置７４への電磁放射６２の照射を終了することが好ましい。 | 조사장치(60)는, 피처리물(W)의 전체가 제1 조사범위(84)보다 제1 방향(Y1)측에 위치하는 경우에, 제1 조사위치(74)로의 전자기방사(62)의 조사를 종료하는 것이 바람직하다. | - |
| 350 | 대기 | これにより、第１方向Ｙ１に移動する被処理物Ｗの全体に対して第１照射位置７４にて電磁放射６２を照射できる。 | 이로써, 제1 방향(Y1)으로 이동하는 피처리물(W)의 전체에 대하여 제1 조사위치(74)에서 전자기방사(62)를 조사할 수 있다. | - |
| 351 | 대기 | 【００８０】 | [0080] | - |
| 352 | 대기 | 図９（ｂ）は、第２照射位置７６に向けた電磁放射６２の照射の開始時を示す。 | 도 9의 (b)는, 제2 조사위치(76)를 향한 전자기방사(62)의 조사개시 시를 나타낸다. | - |
| 353 | 대기 | 図９（ｂ）は、図９（ａ）の後の状態を示し、被処理物Ｗの移動方向が第１方向Ｙ１から第２方向Ｙ２に反転している。 | 도 9의 (b)는, 도 9의 (a) 후의 상태를 나타내고, 피처리물(W)의 이동방향이 제1 방향(Y1)으로부터 제2 방향(Y2)으로 반전되어 있다. | - |
| 354 | 대기 | 照射装置６０は、第２方向Ｙ２に移動する被処理物Ｗの全体が第２照射位置７６よりも第１方向Ｙ１側、つまり、第２方向Ｙ２とは反対側に位置する場合に、第２照射位置７６への電磁放射６２の照射を開始する。 | 조사장치(60)는, 제2 방향(Y2)으로 이동하는 피처리물(W)의 전체가 제2 조사위치(76)보다 제1 방향(Y1)측, 즉, 제2 방향(Y2)과는 반대측에 위치하는 경우에, 제2 조사위치(76)로의 전자기방사(62)의 조사를 개시한다. | - |
| 355 | 대기 | 照射装置６０は、被処理物Ｗの全体が第２照射範囲８６よりも第１方向Ｙ１側に位置する場合に、第２照射位置７６への電磁放射６２の照射を開始することが好ましい。 | 조사장치(60)는, 피처리물(W)의 전체가 제2 조사범위(86)보다 제1 방향(Y1)측에 위치하는 경우에, 제2 조사위치(76)로의 전자기방사(62)의 조사를 개시하는 것이 바람직하다. | - |
| 356 | 대기 | これにより、第２方向Ｙ２に移動する被処理物Ｗの全体に対して第２照射位置７６にて電磁放射６２を照射できる。 | 이로써, 제2 방향(Y2)으로 이동하는 피처리물(W)의 전체에 대하여 제2 조사위치(76)에서 전자기방사(62)를 조사할 수 있다. | - |
| 357 | 대기 | 【００８１】 | [0081] | - |
| 358 | 대기 | 図１０（ａ），（ｂ）は、照射装置６０による照射位置の切替を概略的に示す図であり、第２照射位置７６から第１照射位置７４への切替を示す。 | 도 10의 (a), 도 10의 (b)는, 조사장치(60)에 의한 조사위치의 전환을 개략적으로 나타내는 도이며, 제2 조사위치(76)로부터 제1 조사위치(74)로의 전환을 나타낸다. | - |
| 359 | 대기 | 図１０（ａ）は、第２照射位置７６に向けた電磁放射６２の照射の終了時を示す。 | 도 10의 (a)는, 제2 조사위치(76)를 향한 전자기방사(62)의 조사종료 시를 나타낸다. | - |
| 360 | 대기 | 照射装置６０は、第２方向Ｙ２に移動する被処理物Ｗの全体が第２照射位置７６よりも第２方向Ｙ２側に位置する場合に、第２照射位置７６への電磁放射６２の照射を終了する。 | 조사장치(60)는, 제2 방향(Y2)으로 이동하는 피처리물(W)의 전체가 제2 조사위치(76)보다 제2 방향(Y2)측에 위치하는 경우에, 제2 조사위치(76)에 대한 전자기방사(62)의 조사를 종료한다. | - |
| 361 | 대기 | 照射装置６０は、被処理物Ｗの全体が第２照射範囲８６よりも第２方向Ｙ２側に位置する場合に、第２照射位置７６への電磁放射６２の照射を終了することが好ましい。 | 조사장치(60)는, 피처리물(W)의 전체가 제2 조사범위(86)보다 제2 방향(Y2)측에 위치하는 경우에, 제2 조사위치(76)로의 전자기방사(62)의 조사를 종료하는 것이 바람직하다. | - |
| 362 | 대기 | これにより、第２方向Ｙ２に移動する被処理物Ｗの全体に対して第２照射位置７６にて電磁放射６２を照射できる。 | 이로써, 제2 방향(Y2)으로 이동하는 피처리물(W)의 전체에 대하여 제2 조사위치(76)에서 전자기방사(62)를 조사할 수 있다. | - |
| 363 | 대기 | 【００８２】 | [0082] | - |
| 364 | 대기 | 図１０（ｂ）は、第１照射位置７４に向けた電磁放射６２の照射の開始時を示す。 | 도 10의 (b)는, 제1 조사위치(74)를 향한 전자기방사(62)의 조사개시 시를 나타낸다. | - |
| 365 | 대기 | 図１０（ｂ）は、図１０（ａ）の後の状態を示し、被処理物Ｗの移動方向が第２方向Ｙ２から第１方向Ｙ１に反転している。 | 도 10의 (b)는, 도 10의 (a) 후의 상태를 나타내고, 피처리물(W)의 이동방향이 제2 방향(Y2)으로부터 제1 방향(Y1)으로 반전되어 있다. | - |
| 366 | 대기 | 照射装置６０は、第１方向Ｙ１に移動する被処理物Ｗの全体が第１照射位置７４よりも第２方向Ｙ２側、つまり、第１方向Ｙ１とは反対側に位置する場合に、第１照射位置７４への電磁放射６２の照射を開始する。 | 조사장치(60)는, 제1 방향(Y1)으로 이동하는 피처리물(W)의 전체가 제1 조사위치(74)보다 제2 방향(Y2)측, 즉, 제1 방향(Y1)과는 반대측에 위치하는 경우에, 제1 조사위치(74)로의 전자기방사(62)의 조사를 개시한다. | - |
| 367 | 대기 | 照射装置６０は、被処理物Ｗの全体が第１照射範囲８４よりも第２方向Ｙ２側に位置する場合に、第１照射位置７４への電磁放射６２の照射を開始することが好ましい。 | 조사장치(60)는, 피처리물(W)의 전체가 제1 조사범위(84)보다 제2 방향(Y2)측에 위치하는 경우에, 제1 조사위치(74)로의 전자기방사(62)의 조사를 개시하는 것이 바람직하다. | - |
| 368 | 대기 | これにより、第１方向Ｙ１に移動する被処理物Ｗの全体に対して第１照射位置７４にて電磁放射６２を照射できる。 | 이로써, 제1 방향(Y1)으로 이동하는 피처리물(W)의 전체에 대하여 제1 조사위치(74)에서 전자기방사(62)를 조사할 수 있다. | - |
| 369 | 대기 | 【００８３】 | [0083] | - |
| 370 | 대기 | 照射装置６０は、第１照射位置７４と第２照射位置７６の間で切替する場合、可変機構６６によって放射源６４の向きを変化させることができる。 | 조사장치(60)는, 제1 조사위치(74)와 제2 조사위치(76)의 사이에서 전환하는 경우, 가변기구(66)에 의하여 방사원(64)의 방향을 변화시킬 수 있다. | - |
| 371 | 대기 | 照射装置６０は、照射位置の切替時において、放射源６４からの電磁放射６２の照射を一時的に停止してもよい。 | 조사장치(60)는, 조사위치의 전환 시에 있어서, 방사원(64)으로부터의 전자기방사(62)의 조사를 일시적으로 정지해도 된다. | - |
| 372 | 대기 | 照射装置６０は、照射位置の切替時において、放射源６４からの電磁放射６２の照射を停止せずに継続してもよい。 | 조사장치(60)는, 조사위치의 전환 시에 있어서, 방사원(64)으로부터의 전자기방사(62)의 조사를 정지하지 않고 계속해도 된다. | - |
| 373 | 대기 | 【００８４】 | [0084] | - |
| 374 | 대기 | 照射装置６０は、注入条件に応じて照射位置７２が可変となるように構成されてもよい。 | 조사장치(60)는, 주입조건에 따라 조사위치(72)가 가변이 되도록 구성되어도 된다. | - |
| 375 | 대기 | 照射装置６０は、注入条件に応じて照射位置７２における電磁放射６２の照射条件が可変となるように構成されてもよい。 | 조사장치(60)는, 주입조건에 따라 조사위치(72)에 있어서의 전자기방사(62)의 조사조건이 가변이 되도록 구성되어도 된다. | - |
| 376 | 대기 | 注入条件は、被処理物Ｗに照射されるイオンビームＢに関する条件であってもよく、イオンビームＢのイオン種、イオンビームＢのエネルギー、イオンビームＢのビーム電流、イオンビームＢによる被処理物Ｗへのイオンドーズ量、イオンビームＢに対する被処理物Ｗのチルト角、被処理物Ｗの往復移動速度、および被処理物Ｗの材料の少なくとも一つを含んでもよい。 | 주입조건은, 피처리물(W)에 조사되는 이온빔(B)에 관한 조건이어도 되고, 이온빔(B)의 이온종, 이온빔(B)의 에너지, 이온빔(B)의 빔전류, 이온빔(B)에 의한 피처리물(W)에 대한 이온도즈량, 이온빔(B)에 대한 피처리물(W)의 틸트각, 피처리물(W)의 왕복이동속도, 및 피처리물(W)의 재료 중 적어도 하나를 포함해도 된다. | - |
| 377 | 대기 | 電磁放射６２の照射条件は、電磁放射６２の照射範囲８２、照射出力、および照射波長の少なくとも一つを含んでもよい。 | 전자기방사(62)의 조사조건은, 전자기방사(62)의 조사범위(82), 조사출력, 및 조사파장 중 적어도 하나를 포함해도 된다. | - |
| 378 | 대기 | 照射位置７２は、第１照射位置７４であってもよいし、第２照射位置７６であってもよい。 | 조사위치(72)는, 제1 조사위치(74)여도 되고, 제2 조사위치(76)여도 된다. | - |
| 379 | 대기 | 【００８５】 | [0085] | - |
| 380 | 대기 | 照射装置６０は、被処理物Ｗの任意の点におけるイオンビームＢが照射される注入タイミングと、電磁放射６２が照射される照射タイミングとの時間差が所望値となるように、照射位置７２を変化させてもよい。 | 조사장치(60)는, 피처리물(W)의 임의의 점에 있어서의 이온빔(B)이 조사되는 주입타이밍과, 전자기방사(62)가 조사되는 조사타이밍의 시간차가 원하는 값이 되도록, 조사위치(72)를 변화시켜도 된다. | - |
| 381 | 대기 | 注入タイミングと照射タイミングの時間差Δｔは、注入位置７０と照射位置７２の間の所定方向（ｙ方向）の距離Δｙを、所定方向の往復移動速度ｖで割った値に相当し、Δｔ＝Δｙ／ｖと表すことができる。 | 주입타이밍과 조사타이밍의 시간차 Δt는, 주입위치(70)와 조사위치(72)의 사이의 소정방향(y방향)의 거리 Δy를, 소정방향의 왕복이동속도 v로 나눈 값에 상당하고, Δt=Δy/v로 나타낼 수 있다. | - |
| 382 | 대기 | 照射装置６０は、例えば注入条件に応じて速度ｖが異なる場合、時間差Δｔが所望値に維持されるように、注入位置７０と照射位置７２の間の距離Δｙを可変とすることができる。 | 조사장치(60)는, 예를 들면 주입조건에 따라 속도 v가 상이한 경우, 시간차 Δt가 원하는 값으로 유지되도록, 주입위치(70)와 조사위치(72)의 사이의 거리 Δy를 가변으로 할 수 있다. | - |
| 383 | 대기 | 注入タイミングと照射タイミングの時間差Δｔは、例えば０．０１秒以上、０．０５秒以上または０．１秒以上とすることができ、例えば１秒以下、０．５秒以下または０．２秒以下とすることができる。 | 주입타이밍과 조사타이밍의 시간차 Δt는, 예를 들면 0.01초 이상, 0.05초 이상 또는 0.1초 이상으로 할 수 있고, 예를 들면 1초 이하, 0.5초 이하 또는 0.2초 이하로 할 수 있다. | - |
| 384 | 대기 | 【００８６】 | [0086] | - |
| 385 | 대기 | 照射装置６０は、イオンビームＢの照射による被処理物Ｗへのダメージが相対的に大きくなる注入条件において、電磁放射６２の照射によるダメージ回復量が相対的に大きくなるように電磁放射６２の照射条件を可変としてもよい。 | 조사장치(60)는, 이온빔(B)의 조사에 의한 피처리물(W)에 대한 대미지가 상대적으로 커지는 주입조건에 있어서, 전자기방사(62)의 조사에 의한 대미지회복량이 상대적으로 커지도록 전자기방사(62)의 조사조건을 가변으로 해도 된다. | - |
| 386 | 대기 | ダメージが相対的に大きくなる注入条件は、例えば質量が相対的に大きい（例えば原子番号が大きい）イオン種の場合、エネルギーが相対的に大きい場合、ビーム電流が相対的に大きい場合、ドーズ量が相対的に大きい場合、チルト角が相対的に大きい場合、往復移動速度が相対的に小さい場合である。 | 대미지가 상대적으로 커지는 주입조건은, 예를 들면 질량이 상대적으로 큰(예를 들면 원자번호가 큰) 이온종인 경우, 에너지가 상대적으로 큰 경우, 빔전류가 상대적으로 큰 경우, 도즈량이 상대적으로 큰 경우, 틸트각이 상대적으로 큰 경우, 왕복이동속도가 상대적으로 작은 경우이다. | - |
| 387 | 대기 | ダメージ回復量が相対的に大きくなる照射条件は、例えば電磁放射６２の照射範囲８２が狭い場合、照射出力が大きい場合、被処理物Ｗにおける電磁放射６２の吸収率が相対的に高い照射波長である場合である。 | 대미지회복량이 상대적으로 커지는 조사조건은, 예를 들면 전자기방사(62)의 조사범위(82)가 좁은 경우, 조사출력이 큰 경우, 피처리물(W)에 있어서의 전자기방사(62)의 흡수율이 상대적으로 높은 조사파장인 경우이다. | - |
| 388 | 대기 | 【００８７】 | [0087] | - |
| 389 | 대기 | 保持装置５０は、照射装置６０による電磁放射６２の照射位置７２に応じて、被処理物Ｗの往復移動範囲が可変となるように構成されてもよい。 | 유지장치(50)는, 조사장치(60)에 의한 전자기방사(62)의 조사위치(72)에 따라, 피처리물(W)의 왕복이동범위가 가변이 되도록 구성되어도 된다. | - |
| 390 | 대기 | 保持装置５０は、注入位置７０から照射位置７２までの距離が大きくなるほど、被処理物Ｗの往復移動範囲を大きくしてもよい。 | 유지장치(50)는, 주입위치(70)로부터 조사위치(72)까지의 거리가 커질수록, 피처리물(W)의 왕복이동범위를 크게 해도 된다. | - |
| 391 | 대기 | 保持装置５０は、例えば被処理物Ｗの全体が照射位置７２または照射範囲８２を越えて往復移動されるように往復移動範囲を設定できる。 | 유지장치(50)는, 예를 들면 피처리물(W)의 전체가 조사위치(72) 또는 조사범위(82)를 넘어 왕복이동되도록 왕복이동범위를 설정할 수 있다. | - |
| 392 | 대기 | 保持装置５０は、図９（ａ）に示されるように、被処理物Ｗの全体が第１照射位置７４よりも第１方向Ｙ１側に位置するまで被処理物Ｗを第１方向Ｙ１に移動させることができる。 | 유지장치(50)는, 도 9의 (a)에 나타나는 바와 같이, 피처리물(W)의 전체가 제1 조사위치(74)보다 제1 방향(Y1)측에 위치할 때까지 피처리물(W)을 제1 방향(Y1)으로 이동시킬 수 있다. | - |
| 393 | 대기 | 保持装置５０は、図１０（ａ）に示されるように、被処理物Ｗの全体が第２照射位置７６よりも第２方向Ｙ２側に位置するまで被処理物Ｗを第２方向Ｙ２に移動させることができる。 | 유지장치(50)는, 도 10의 (a)에 나타나는 바와 같이, 피처리물(W)의 전체가 제2 조사위치(76)보다 제2 방향(Y2)측에 위치할 때까지 피처리물(W)을 제2 방향(Y2)으로 이동시킬 수 있다. | - |
| 394 | 대기 | 【００８８】 | [0088] | - |
| 395 | 대기 | 図１１は、実施の形態に係るイオン注入方法の一例を示すフローチャートである。 | 도 11은, 실시형태에 관한 이온주입방법의 일례를 나타내는 플로차트이다. | - |
| 396 | 대기 | 注入位置７０にイオンビームＢを照射し（Ｓ１０）、被処理物Ｗを第１方向Ｙ１に移動させ（Ｓ１２）、第１照射位置７４に電磁放射６２を照射する（Ｓ１４）。 | 주입위치(70)에 이온빔(B)을 조사하고(S10), 피처리물(W)을 제1 방향(Y1)으로 이동시키며(S12), 제1 조사위치(74)에 전자기방사(62)를 조사한다(S14). | - |
| 397 | 대기 | 被処理物Ｗを第１方向Ｙ１の移動が終了するまで第１方向Ｙ１に移動させ（Ｓ１６のＮ）、第１方向Ｙ１の移動が終了した場合（Ｓ１６のＹ）、被処理物Ｗを第２方向Ｙ２に移動させ（Ｓ１８）、第２照射位置７６に電磁放射６２を照射する（Ｓ２０）。 | 피처리물(W)을 제1 방향(Y1)의 이동이 종료될 때까지 제1 방향(Y1)으로 이동시키고(S16의 N), 제1 방향(Y1)의 이동이 종료된 경우(S16의 Y), 피처리물(W)을 제2 방향(Y2)으로 이동시키며(S18), 제2 조사위치(76)에 전자기방사(62)를 조사한다(S20). | - |
| 398 | 대기 | 被処理物Ｗを第２方向Ｙ２の移動が終了するまで第２方向Ｙ２に移動させ（Ｓ２２のＮ）、第２方向Ｙ２の移動が終了した場合（Ｓ２２のＹ）、注入処理を終了していれば（Ｓ２４のＹ）、本フローを終了する。 | 피처리물(W)을 제2 방향(Y2)의 이동이 종료될 때까지 제2 방향(Y2)으로 이동시키고(S22의 N), 제2 방향(Y2)의 이동이 종료된 경우(S22의 Y), 주입처리가 종료되어 있으면(S24의 Y), 본 플로를 종료한다. | - |
| 399 | 대기 | 注入処理が終了していなければ（Ｓ２４のＮ）、Ｓ１２～Ｓ２２の処理を繰り返し実行する。 | 주입처리가 종료되어 있지 않으면(S24의 N), S12~S22의 처리를 반복하여 실행한다. | - |
| 400 | 대기 | 【００８９】 | [0089] | - |
| 401 | 대기 | 本実施の形態によれば、被処理物Ｗが往復移動される場合に電磁放射６２の照射位置を切替することにより、被処理物Ｗの任意の点においてイオンビームＢが照射された後に電磁放射６２を照射できる。 | 본 실시형태에 의하면, 피처리물(W)이 왕복이동되는 경우에 전자기방사(62)의 조사위치를 전환함으로써, 피처리물(W)의 임의의 점에 있어서 이온빔(B)이 조사된 후에 전자기방사(62)를 조사할 수 있다. | - |
| 402 | 대기 | つまり、被処理物Ｗの移動方向によらず、注入タイミングと照射タイミングの前後関係を維持できる。 | 즉, 피처리물(W)의 이동방향에 관계없이, 주입타이밍과 조사타이밍의 전후관계를 유지할 수 있다. | - |
| 403 | 대기 | その結果、イオンビームの照射によって被処理物に局所的に生じるダメージを、電磁放射６２の照射による加熱によって効率的に回復させることができる。 | 그 결과, 이온빔의 조사에 의하여 피처리물에 국소적으로 발생하는 대미지를, 전자기방사(62)의 조사에 의한 가열에 의하여 효율적으로 회복시킬 수 있다. | - |
| 404 | 대기 | 【００９０】 | [0090] | - |
| 405 | 대기 | 図１２は、別の実施の形態に係る照射装置９０の概略構成を示す図である。 | 도 12는, 다른 실시형태에 관한 조사장치(90)의 개략구성을 나타내는 도이다. | - |
| 406 | 대기 | 照射装置９０は、第１放射源９２と、第２放射源９４とを備える。 | 조사장치(90)는, 제1 방사원(92)과, 제2 방사원(94)을 구비한다. | - |
| 407 | 대기 | 照射装置９０は、上述の実施の形態に係る照射装置６０に代えて用いることができる。 | 조사장치(90)는, 상술한 실시형태에 관한 조사장치(60) 대신에 이용할 수 있다. | - |
| 408 | 대기 | 以下、照射装置９０について、上述の照射装置６０との相違点を中心に説明し、共通点については説明を適宜省略する。 | 이하, 조사장치(90)에 대하여, 상술한 조사장치(60)와의 차이점을 중심으로 설명하고, 공통점에 대해서는 설명을 적절히 생략한다. | - |
| 409 | 대기 | 【００９１】 | [0091] | - |
| 410 | 대기 | 第１放射源９２は、第１照射位置７４に向けて第１電磁放射６２ａを照射するように構成される。 | 제1 방사원(92)은, 제1 조사위치(74)를 향하여 제1 전자기방사(62a)를 조사하도록 구성된다. | - |
| 411 | 대기 | 第２放射源９４は、第２照射位置７６に向けて第２電磁放射６２ｂを照射するように構成される。 | 제2 방사원(94)은, 제2 조사위치(76)를 향하여 제2 전자기방사(62b)를 조사하도록 구성된다. | - |
| 412 | 대기 | 第１放射源９２および第２放射源９４のそれぞれは、上述の実施の形態に係る放射源６４と同様に構成されてもよい。 | 제1 방사원(92) 및 제2 방사원(94)의 각각은, 상술한 실시형태에 관한 방사원(64)과 동일하게 구성되어도 된다. | - |
| 413 | 대기 | 【００９２】 | [0092] | - |
| 414 | 대기 | 照射装置９０は、第１可変機構９６および第２可変機構９８をさらに備えてもよい。 | 조사장치(90)는, 제1 가변기구(96) 및 제2 가변기구(98)를 더 구비해도 된다. | - |
| 415 | 대기 | 第１可変機構９６は、第１放射源９２の向きを変化させることにより、第１電磁放射６２ａの進行方向を変化させる。 | 제1 가변기구(96)는, 제1 방사원(92)의 방향을 변화시킴으로써, 제1 전자기방사(62a)의 진행방향을 변화시킨다. | - |
| 416 | 대기 | 第２可変機構９８は、第２放射源９４の向きを変化させることにより、第２電磁放射６２ｂの進行方向を変化させる。 | 제2 가변기구(98)는, 제2 방사원(94)의 방향을 변화시킴으로써, 제2 전자기방사(62b)의 진행방향을 변화시킨다. | - |
| 417 | 대기 | 第１可変機構９６および第２可変機構９８のそれぞれは、上述の実施の形態に係る可変機構６６と同様に構成されてもよい。 | 제1 가변기구(96) 및 제2 가변기구(98)의 각각은, 상술한 실시형태에 관한 가변기구(66)와 동일하게 구성되어도 된다. | - |
| 418 | 대기 | 【００９３】 | [0093] | - |
| 419 | 대기 | 第１放射源９２および第２放射源９４は、被処理物Ｗの往復移動に応じて、選択的に動作してもよい。 | 제1 방사원(92) 및 제2 방사원(94)은, 피처리물(W)의 왕복이동에 따라, 선택적으로 동작해도 된다. | - |
| 420 | 대기 | 第１放射源９２は、被処理物Ｗが第１方向Ｙ１に移動する場合に第１電磁放射６２ａを出射し、被処理物Ｗが第２方向Ｙ２に移動する場合には第１電磁放射６２ａの出射を停止してもよい。 | 제1 방사원(92)은, 피처리물(W)이 제1 방향(Y1)으로 이동하는 경우에 제1 전자기방사(62a)를 출사하고, 피처리물(W)이 제2 방향(Y2)으로 이동하는 경우에는 제1 전자기방사(62a)의 출사를 정지해도 된다. | - |
| 421 | 대기 | 第２放射源９４は、被処理物Ｗが第２方向Ｙ２に移動する場合に第２電磁放射６２ｂを出射し、被処理物Ｗが第１方向Ｙ１に移動する場合には第２電磁放射６２ｂの出射を停止してもよい。 | 제2 방사원(94)은, 피처리물(W)이 제2 방향(Y2)으로 이동하는 경우에 제2 전자기방사(62b)를 출사하고, 피처리물(W)이 제1 방향(Y1)으로 이동하는 경우에는 제2 전자기방사(62b)의 출사를 정지해도 된다. | - |
| 422 | 대기 | 【００９４】 | [0094] | - |
| 423 | 대기 | 図１３は、別の実施の形態に係る照射装置９０の構成例を概略的に示す図である。 | 도 13은, 다른 실시형태에 관한 조사장치(90)의 구성예를 개략적으로 나타내는 도이다. | - |
| 424 | 대기 | 照射装置９０は、電磁波生成源１００と、切替機構１０２とを備える。 | 조사장치(90)는, 전자기파생성원(100)과, 전환기구(102)를 구비한다. | - |
| 425 | 대기 | 電磁波生成源１００は、第１電磁放射６２ａまたは第２電磁放射６２ｂとなる電磁放射を生成する。 | 전자기파생성원(100)은, 제1 전자기방사(62a) 또는 제2 전자기방사(62b)가 되는 전자기방사를 생성한다. | - |
| 426 | 대기 | 切替機構１０２は、電磁波生成源１００と、第１放射源９２および第２放射源９４との間に設けられる。 | 전환기구(102)는, 전자기파생성원(100)과, 제1 방사원(92) 및 제2 방사원(94)의 사이에 마련된다. | - |
| 427 | 대기 | 切替機構１０２は、電磁波生成源１００からの電磁放射を、第１放射源９２または第２放射源９４のいずれかに伝送するように構成される。 | 전환기구(102)는, 전자기파생성원(100)으로부터의 전자기방사를, 제1 방사원(92) 또는 제2 방사원(94) 중 어느 하나로 전송하도록 구성된다. | - |
| 428 | 대기 | 【００９５】 | [0095] | - |
| 429 | 대기 | 図１３に示される構成要素の少なくとも一部は、真空処理室１６の内部に設けられてもよいし、真空処理室１６の外部に設けられてもよい。 | 도 13에 나타나는 구성요소 중 적어도 일부는, 진공처리실(16)의 내부에 마련되어도 되고, 진공처리실(16)의 외부에 마련되어도 된다. | - |
| 430 | 대기 | 例えば、電磁波生成源１００が真空処理室１６の外部に設けられ、切替機構１０２が真空処理室１６の内部に設けられてもよい。 | 예를 들면, 전자기파생성원(100)이 진공처리실(16)의 외부에 마련되고, 전환기구(102)가 진공처리실(16)의 내부에 마련되어도 된다. | - |
| 431 | 대기 | この場合、電磁波生成源１００と切替機構１０２の間に位置する伝送路１０４は、真空処理室１６の外部から内部に延びる導波路を備えてもよい。 | 이 경우, 전자기파생성원(100)과 전환기구(102)의 사이에 위치하는 전송로(104)는, 진공처리실(16)의 외부로부터 내부로 뻗는 도파로를 구비해도 된다. | - |
| 432 | 대기 | 伝送路１０４は、光ファイバを備えてもよいし、真空処理室１６の壁面に設けられる真空窓を備えてもよい。 | 전송로(104)는, 광파이버를 구비해도 되고, 진공처리실(16)의 벽면에 마련되는 진공창을 구비해도 된다. | - |
| 433 | 대기 | 【００９６】 | [0096] | - |
| 434 | 대기 | 別の例では、電磁波生成源１００および切替機構１０２が真空処理室１６の外部に設けられてもよい。 | 다른 예에서는, 전자기파생성원(100) 및 전환기구(102)가 진공처리실(16)의 외부에 마련되어도 된다. | - |
| 435 | 대기 | この場合、切替機構１０２と第１放射源９２の間に位置する第１伝送路１０６は、真空処理室１６の外部から内部に延びる導波路を備えてもよい。 | 이 경우, 전환기구(102)와 제1 방사원(92)의 사이에 위치하는 제1 전송로(106)는, 진공처리실(16)의 외부로부터 내부로 뻗는 도파로를 구비해도 된다. | - |
| 436 | 대기 | 同様に、切替機構１０２と第２放射源９４の間に位置する第２伝送路１０８は、真空処理室１６の外部から内部に延びる導波路を備えてもよい。 | 동일하게, 전환기구(102)와 제2 방사원(94)의 사이에 위치하는 제2 전송로(108)는, 진공처리실(16)의 외부로부터 내부로 뻗는 도파로를 구비해도 된다. | - |
| 437 | 대기 | 第１伝送路１０６および第２伝送路１０８のそれぞれは、光ファイバを備えてもよいし、真空処理室１６の壁面に設けられる真空窓を備えてもよい。 | 제1 전송로(106) 및 제2 전송로(108)의 각각은, 광파이버를 구비해도 되고, 진공처리실(16)의 벽면에 마련되는 진공창을 구비해도 된다. | - |
| 438 | 대기 | 【００９７】 | [0097] | - |
| 439 | 대기 | 本実施の形態においても、上述の実施の形態と同様の効果を奏することができる。 | 본 실시형태에 있어서도, 상술한 실시형태와 동일한 효과를 나타낼 수 있다. | - |
| 440 | 대기 | 【００９８】 | [0098] | - |
| 441 | 대기 | 以上、本開示を上述の各実施の形態を参照して説明したが、本開示は上述の各実施の形態に限定されるものではなく、各実施の形態の構成を適宜組み合わせてもよいし、置換してもよい。 | 이상, 본 개시를 상술한 각 실시형태를 참조하여 설명했지만, 본 개시는 상술한 각 실시형태에 한정되는 것이 아니고, 각 실시형태의 구성을 적절히 조합해도 되며, 치환해도 된다. | - |
| 442 | 대기 | また、当業者の知識に基づいて各実施の形態における組み合わせや処理の順番を適宜組み替えることや各種の設計変更等の変形を実施の形態に対して加えることも可能であり、そのような組み替えや変形が加えられた実施の形態も本開示に係る基板処理装置、基板処理方法および半導体デバイス製造方法の範囲に含まれ得る。 | 또, 당업자의 지식에 근거하여 각 실시형태에 있어서의 조합이나 처리의 순번을 적절히 재편성하는 것이나 각종의 설계변경 등의 변형을 실시형태에 대하여 더하는 것도 가능하고, 그와 같은 재편성이나 변형이 더해진 실시형태도 본 개시에 관한 기판처리장치, 기판처리방법 및 반도체디바이스제조방법의 범위에 포함될 수 있다. | - |
| 443 | 대기 | 【００９９】 | [0099] | - |
| 444 | 대기 | 本開示に係る実施の形態は、本開示に係る方法を記述するコンピュータ読み取り可能な一以上のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形態を取ってもよいし、このようなコンピュータプログラムが格納される非一時的かつ有形な記録媒体（例えば、不揮発性メモリ、磁気テープ、磁気ディスクまたは光学ディスク）の形態を取ってもよい。 | 본 개시에 관한 실시형태는, 본 개시에 관한 방법을 기술하는 컴퓨터판독 가능한 하나 이상의 시퀀스를 포함하는 컴퓨터프로그램의 형태를 취해도 되며, 이와 같은 컴퓨터프로그램이 저장되는 비일시적이고 또한 유형인 기록매체(예를 들면, 불휘발성 메모리, 자기테이프, 자기디스크 또는 광학디스크)의 형태를 취해도 된다. | - |
| 445 | 대기 | プロセッサは、このようなコンピュータプログラムを実行することにより、本開示に係る方法を実現してもよい。 | 프로세서는, 이와 같은 컴퓨터프로그램을 실행함으로써, 본 개시에 관한 방법을 실현해도 된다. | - |
| 446 | 대기 | 【産業上の利用可能性】 | 산업상 이용가능성 | - |
| 447 | 대기 | 【０１００】 | [0100] | - |
| 448 | 대기 | 本発明の限定的ではない例示的な実施の形態によれば、イオン注入工程における被処理物へのダメージをより適切に制御するための技術を提供できる。 | 본 발명의 한정적이지 않은 예시적인 실시형태에 따르면, 이온주입공정에 있어서의 피처리물에 대한 대미지를 보다 적절하게 제어하기 위한 기술을 제공할 수 있다. | - |
| 449 | 대기 | 【符号の説明】 | 【부호의 설명】 | - |
| 450 | 대기 | 【０１０１】 | [0101] | - |
| 451 | 대기 | １０…イオン注入装置、５０…保持装置、６０…照射装置、６２…電磁放射、６４…放射源、６６…可変機構、７０…注入位置、７２…照射位置、７４…第１照射位置、７６…第２照射位置、８０…注入範囲、８２…照射範囲、８４…第１照射範囲、８６…第２照射範囲、９０…照射装置、９２…第１放射源、９４…第２放射源、Ｂ…イオンビーム、Ｗ…被処理物。 | 10…이온주입장치, 50…유지장치, 60…조사장치, 62…전자기방사, 64…방사원, 66…가변기구, 70…주입위치, 72…조사위치, 74…제1 조사위치, 76…제2 조사위치, 80…주입범위, 82…조사범위, 84…제1 조사범위, 86…제2 조사범위, 90…조사장치, 92…제1 방사원, 94…제2 방사원, B…이온빔, W…피처리물 | - |
| 452 | 대기 | 【청구범위】 | 【청구범위】 | - |
| 453 | 대기 | 【請求項１】 | 【청구항 1】 | - |
| 454 | 대기 | 被処理物を保持し、前記被処理物を所定方向に往復移動させるように構成される保持装置と、 | 피처리물을 유지하고, 상기 피처리물을 소정방향으로 왕복이동시키도록 구성되는 유지장치와, | - |
| 455 | 대기 | 前記保持装置に保持される前記被処理物に照射されるイオンビームを生成するビーム生成装置と、 | 상기 유지장치에 유지되는 상기 피처리물에 조사되는 이온빔을 생성하는 빔생성장치와, | - |
| 456 | 대기 | 前記保持装置に保持される前記被処理物に電磁放射を照射するように構成される照射装置と、を備え、 | 상기 유지장치에 유지되는 상기 피처리물에 전자기방사를 조사하도록 구성되는 조사장치를 구비하고, | - |
| 457 | 대기 | 前記照射装置は、前記イオンビームが照射される注入位置とは前記所定方向に異なる照射位置に前記電磁放射を照射する、{MQ}イオン注入装置。 | 상기 조사장치는, 상기 이온빔이 조사되는 주입위치와는 상기 소정방향으로 상이한 조사위치에 상기 전자기방사를 조사하는, 이온주입장치. | - |
| 458 | 대기 | 【請求項２】 | 【청구항 2】 | - |
| 459 | 대기 | 前記照射装置は、注入条件に応じて、前記照射位置が可変となるように構成される、{MQ}請求項１に記載のイオン注入装置。 | 제1항에 있어서, 상기 조사장치는, 주입조건에 따라, 상기 조사위치가 가변이 되도록 구성되는, 이온주입장치. | - |
| 460 | 대기 | 【請求項３】 | 【청구항 3】 | - |
| 461 | 대기 | 前記照射装置は、注入条件に応じて、前記照射位置における前記電磁放射の照射条件が可変となるように構成される、{MQ}請求項１に記載のイオン注入装置。 | 제1항에 있어서, 상기 조사장치는, 주입조건에 따라, 상기 조사위치에 있어서의 상기 전자기방사의 조사조건이 가변이 되도록 구성되는, 이온주입장치. | - |
| 462 | 대기 | 【請求項４】 | 【청구항 4】 | - |
| 463 | 대기 | 前記照射条件は、前記電磁放射の照射範囲、照射出力および照射波長の少なくとも一つを含む、{MQ}請求項３に記載のイオン注入装置。 | 제3항에 있어서, 상기 조사조건은, 상기 전자기방사의 조사범위, 조사출력 및 조사파장 중 적어도 하나를 포함하는, 이온주입장치. | - |
| 464 | 대기 | 【請求項５】 | 【청구항 5】 | - |
| 465 | 대기 | 前記注入条件は、前記イオンビームのイオン種、前記イオンビームのエネルギー、前記イオンビームのビーム電流、前記イオンビームによる前記被処理物へのイオンドーズ量、前記イオンビームに対する前記被処理物のチルト角、前記被処理物の前記往復移動の速度、および被処理物の材料の少なくとも一つを含む、{MQ}請求項２から４のいずれか一項に記載のイオン注入装置。 | 제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 주입조건은, 상기 이온빔의 이온종, 상기 이온빔의 에너지, 상기 이온빔의 빔전류, 상기 이온빔에 의한 상기 피처리물에 대한 이온도즈량, 상기 이온빔에 대한 상기 피처리물의 틸트각, 상기 피처리물의 상기 왕복이동의 속도, 및 피처리물의 재료 중 적어도 하나를 포함하는, 이온주입장치. | - |
| 466 | 대기 | 【請求項６】 | 【청구항 6】 | - |
| 467 | 대기 | 前記照射位置における前記電磁放射の前記所定方向の照射範囲は、前記被処理物の前記所定方向のサイズよりも小さい、{MQ}請求項１に記載のイオン注入装置。 | 제1항에 있어서, 상기 조사위치에 있어서의 상기 전자기방사의 상기 소정방향의 조사범위는, 상기 피처리물의 상기 소정방향의 사이즈보다 작은, 이온주입장치. | - |
| 468 | 대기 | 【請求項７】 | 【청구항 7】 | - |
| 469 | 대기 | 前記照射位置における前記電磁放射の前記所定方向と直交する方向の照射範囲は、前記被処理物の前記所定方向と直交する方向のサイズよりも大きい、{MQ}請求項１に記載のイオン注入装置。 | 제1항에 있어서, 상기 조사위치에 있어서의 상기 전자기방사의 상기 소정방향과 직교하는 방향의 조사범위는, 상기 피처리물의 상기 소정방향과 직교하는 방향의 사이즈보다 큰, 이온주입장치. | - |
| 470 | 대기 | 【請求項８】 | 【청구항 8】 | - |
| 471 | 대기 | 前記照射位置における前記電磁放射の前記所定方向の照射範囲は、前記注入位置における前記イオンビームの前記所定方向のサイズよりも大きい、{MQ}請求項１に記載のイオン注入装置。 | 제1항에 있어서, 상기 조사위치에 있어서의 상기 전자기방사의 상기 소정방향의 조사범위는, 상기 주입위치에 있어서의 상기 이온빔의 상기 소정방향의 사이즈보다 큰, 이온주입장치. | - |
| 472 | 대기 | 【請求項９】 | 【청구항 9】 | - |
| 473 | 대기 | 前記被処理物は、前記電磁放射の照射によって加熱される、{MQ}請求項１に記載のイオン注入装置。 | 제1항에 있어서, 상기 피처리물은, 상기 전자기방사의 조사에 의하여 가열되는, 이온주입장치. | - |
| 474 | 대기 | 【請求項１０】 | 【청구항 10】 | - |
| 475 | 대기 | 前記照射装置は、前記電磁放射を出射する放射源と、前記放射源から出射される前記電磁放射の進行方向を変化させる可変機構と、を備える、{MQ}請求項１に記載のイオン注入装置。 | 제1항에 있어서, 상기 조사장치는, 상기 전자기방사를 출사하는 방사원과, 상기 방사원으로부터 출사되는 상기 전자기방사의 진행방향을 변화시키는 가변기구를 구비하는, 이온주입장치. | - |
| 476 | 대기 | 【請求項１１】 | 【청구항 11】 | - |
| 477 | 대기 | 前記可変機構は、前記放射源の向きを変化させるよう構成される、{MQ}請求項１０に記載のイオン注入装置。 | 제10항에 있어서, 상기 가변기구는, 상기 방사원의 방향을 변화시키도록 구성되는, 이온주입장치. | - |
| 478 | 대기 | 【請求項１２】 | 【청구항 12】 | - |
| 479 | 대기 | 前記可変機構は、前記電磁放射を前記照射位置に向けて伝送する光学素子の向きを変化させるよう構成される、{MQ}請求項１０に記載のイオン注入装置。 | 제10항에 있어서, 상기 가변기구는, 상기 전자기방사를 상기 조사위치를 향하여 전송하는 광학소자의 방향을 변화시키도록 구성되는, 이온주입장치. | - |
| 480 | 대기 | 【請求項１３】 | 【청구항 13】 | - |
| 481 | 대기 | 前記照射装置は、前記被処理物が前記所定方向に沿った第１方向に移動する場合に前記注入位置よりも前記第１方向側となる第１照射位置に前記電磁放射を照射し、前記被処理物が前記第１方向とは反対の第２方向に移動する場合に前記注入位置よりも前記第２方向側となる第２照射位置に前記電磁放射を照射する、{MQ}請求項１に記載のイオン注入装置。 | 제1항에 있어서, 상기 조사장치는, 상기 피처리물이 상기 소정방향을 따른 제1 방향으로 이동하는 경우에 상기 주입위치보다 상기 제1 방향측이 되는 제1 조사위치에 상기 전자기방사를 조사하고, 상기 피처리물이 상기 제1 방향과는 반대인 제2 방향으로 이동하는 경우에 상기 주입위치보다 상기 제2 방향측이 되는 제2 조사위치에 상기 전자기방사를 조사하는, 이온주입장치. | - |
| 482 | 대기 | 【請求項１４】 | 【청구항 14】 | - |
| 483 | 대기 | 前記照射装置は、前記被処理物の前記往復移動に応じて、前記照射位置を前記第１照射位置または前記第２照射位置に切り替える、{MQ}請求項１３に記載のイオン注入装置。 | 제13항에 있어서, 상기 조사장치는, 상기 피처리물의 상기 왕복이동에 따라, 상기 조사위치를 상기 제1 조사위치 또는 상기 제2 조사위치로 전환하는, 이온주입장치. | - |
| 484 | 대기 | 【請求項１５】 | 【청구항 15】 | - |
| 485 | 대기 | 前記照射装置は、前記電磁放射を出射する放射源と、前記放射源から出射される前記電磁放射の進行方向を変化させ、前記第１照射位置または前記第２照射位置に前記電磁放射を照射させる可変機構と、を備える、{MQ}請求項１３に記載のイオン注入装置。 | 제13항에 있어서, 상기 조사장치는, 상기 전자기방사를 출사하는 방사원과, 상기 방사원으로부터 출사되는 상기 전자기방사의 진행방향을 변화시켜, 상기 제1 조사위치 또는 상기 제2 조사위치에 상기 전자기방사를 조사시키는 가변기구를 구비하는, 이온주입장치. | - |
| 486 | 대기 | 【請求項１６】 | 【청구항 16】 | - |
| 487 | 대기 | 前記照射装置は、前記第１照射位置に向けて前記電磁放射を出射する第１放射源と、前記第２照射位置に向けて前記電磁放射を出射する第２放射源と、を備える、{MQ}請求項１３に記載のイオン注入装置。 | 제13항에 있어서, 상기 조사장치는, 상기 제1 조사위치를 향하여 상기 전자기방사를 출사하는 제1 방사원과, 상기 제2 조사위치를 향하여 상기 전자기방사를 출사하는 제2 방사원을 구비하는, 이온주입장치. | - |
| 488 | 대기 | 【請求項１７】 | 【청구항 17】 | - |
| 489 | 대기 | 前記保持装置は、前記被処理物が前記第１照射位置よりも前記第１方向側に位置するまで前記被処理物を前記第１方向に移動させ、前記被処理物が前記第２照射位置よりも前記第２方向側に位置するまで前記被処理物を前記第２方向に移動させる、{MQ}請求項１３に記載のイオン注入装置。 | 제13항에 있어서, 상기 유지장치는, 상기 피처리물이 상기 제1 조사위치보다 상기 제1 방향측에 위치할 때까지 상기 피처리물을 상기 제1 방향으로 이동시키고, 상기 피처리물이 상기 제2 조사위치보다 상기 제2 방향측에 위치할 때까지 상기 피처리물을 상기 제2 방향으로 이동시키는, 이온주입장치. | - |
| 490 | 대기 | 【請求項１８】 | 【청구항 18】 | - |
| 491 | 대기 | 被処理物を所定方向に沿って往復移動させることと、 | 피처리물을 소정방향을 따라 왕복이동시키는 것과, | - |
| 492 | 대기 | 前記被処理物にイオンビームを照射することと、 | 상기 피처리물에 이온빔을 조사하는 것과, | - |
| 493 | 대기 | 前記被処理物に電磁放射を照射することと、を備え、 | 상기 피처리물에 전자기방사를 조사하는 것을 구비하고, | - |
| 494 | 대기 | 前記電磁放射は、前記イオンビームが照射される注入位置から前記所定方向に異なる照射位置に照射される、{MQ}イオン注入方法。 | 상기 전자기방사는, 상기 이온빔이 조사되는 주입위치로부터 상기 소정방향으로 상이한 조사위치에 조사되는, 이온주입방법. | - |
| 495 | 대기 | 【요약서】 | 【요약서】 | - |
| 496 | 대기 | 【요약】 | 【요약】 | - |
| 497 | 대기 | イオン注入装置１０は、被処理物Ｗを保持し、被処理物Ｗを所定方向に往復移動させるように構成される保持装置５０と、保持装置５０に保持される被処理物Ｗに照射されるイオンビームＢを生成するビーム生成装置と、保持装置５０に保持される被処理物Ｗに電磁放射６２を照射するように構成される照射装置６０と、を備える。 | 이온주입장치(10)는, 피처리물(W)을 유지하고, 피처리물(W)을 소정방향으로 왕복이동시키도록 구성되는 유지장치(50)와, 유지장치(50)에 유지되는 피처리물(W)에 조사되는 이온빔(B)을 생성하는 빔생성장치와, 유지장치(50)에 유지되는 피처리물(W)에 전자기방사(62)를 조사하도록 구성되는 조사장치(60)를 구비한다. | - |
| 498 | 대기 | 照射装置６０は、イオンビームＢが照射される注入位置７０とは所定方向に異なる照射位置７２に電磁放射６２を照射する。 | 조사장치(60)는, 이온빔(B)이 조사되는 주입위치(70)와는 소정방향으로 상이한 조사위치(72)에 전자기방사(62)를 조사한다. | - |
| 499 | 대기 | 【대표도】 | 【대표도】도 3 | - |
| 500 | 대기 | 【도면】 | 【도면】 | - |
| 501 | 대기 | 【도 1】 | 【도 1】 | - |
| 502 | 대기 | 1 | 1 | - |